В третьем издании с учётом новых нормативных и руководящих материалов (второе вышло в 1983 г.) рассмотрены приёмы нахождения в схемах и чертежах проектов автоматизации сведений, необходимых для подготовки и производства монтажных работ, эксплуатации систем автоматизации и контроля и другие вопросы.
Для широкого круга квалифицированных рабочих и инженерно‑технических работников.
Изложены новые матричные методы обработки сигналов и показано их применение при комплексной микроминиатюризации радиоэлектронной аппаратуры. В основу этих методов положен обобщённый спектральный анализ, предоставляющий исследователям широкий класс систем ортонормированных базисных функций для получения спектров сигнала. Показано, что наиболее удобными в практической реализации при построении радиоэлектронной аппаратуры на интегральных микросхемах являются функции Уолша и Хаара. Рассмотрены устройства цифровых фильтров и обучаемых распознающих устройств для систем с сосредоточенными и распределёнными параметрами.
Рассчитана на инженеров, работающих в области технической кибернетики, радиоэлектроники и систем автоматического управления, и может быть полезна студентам соответствующих специальностей.
Изложены основные положения теории автоматического управления, приведены современные инженерные методы наладки аппаратуры автоматики и оптимальной настройки контуров регулирования применительно ко всем основным агрегатам и системам судовых энергетических установок.
Для работников морского, речного, рыбопромыслового флота и судостроительной промышленности, занимающихся наладкой и технической эксплуатацией автоматизированных установок.
Издание 1949 года «Теория автоматического регулирования (линеаризованные задачи)» объединяет классические труды основоположников теории регулирования — Д. К. Максвелла, И. А. Вышнеградского и А. Стодолы. В книге рассмотрены фундаментальные подходы к анализу устойчивости и динамики систем автоматического регулирования на базе линеаризованных моделей. Работы Максвелла и Вышнеградского заложили основы математического описания регуляторов с помощью дифференциальных уравнений и сформулировали ключевые критерии устойчивости; вклад Стодолы отражает развитие этих идей применительно к турбомашинам и сложным техническим системам. Книга служит важнейшим историко‑научным источником и справочником по классическим методам расчёта регуляторов, сохраняя актуальность для понимания эволюции теории управления.
В книге в систематизированном виде изложены основные вопросы аналогового моделирования систем автоматического управления. Рассматривается моделирование линейных и нелинейных систем. Подробно, с примерами приведена методика решения задач на аналоговых машинах. Большое внимание уделено практическим приёмам использования аналоговой техники и особенностям моделирования различных следящих систем. Освещены вопросы полунатурного моделирования. Даны приёмы статистического исследования автоматических систем. Обсуждаются основы аналого‑цифрового моделирования.
Учебное пособие предназначено для студентов, изучающих теорию автоматического управления. Книга полезна всем, кто интересуется вопросами аналогового моделирования автоматических систем.
Электронный конструктор „Малая автоматика“ является детским занимательным техническим набором и предназначен для самостоятельной работы юных техников.
Из набора электронного конструктора „Малая автоматика“ можно собрать восемь различных полезных для юного техника приборов, каждый из которых после его сборки представляет собой законченную конструкцию, собранную в изящном корпусе. Из деталей и элементов набора с помощью паяльника собираются действующие схемы, а затем приборы. Приборы не сложные и рассчитаны на ребят 13–15‑летнего возраста. Изготовление по прилагаемому описанию приборов и их настройка под силу даже начинающему юному технику.
Кроме восьми предлагаемых в руководстве приборов, юные техники могут использовать детали и элементы „Электронного конструктора“ для изготовления других приборов по собственному замыслу.
О новых интересных приборах, собранных самостоятельно с помощью данного набора, просим сообщить по адресу: Москва В‑419, 2‑й Рощинский проезд, дом 8, завод „Нефтеприбор“.
Настоящий учебник предназначен (при двух уровнях глубины изложения материала) для студентов факультетов ФЭН, ЭМФ, не являющихся «специалистами» по силовой электронике, но изучающих курсы различных названий по использованию устройств силовой электроники в электроэнергетических, электромеханических, электротехнических системах. Разделы учебника, выделенные рубленым шрифтом, предназначены (также при двух уровнях глубины изложения) для дополнительного, более глубокого изучения курса, что позволяет использовать его и как учебное пособие для студентов специальности «Промэлектроника» РЭФ, которые готовятся «как специалисты» по силовой электронике. Таким образом, в предлагаемом издании реализован принцип «четыре в одном». Добавленные в отдельные разделы обзоры научно-технической литературы по соответствующим разделам курса позволяют рекомендовать пособие как информационное издание и для магистрантов и аспирантов.
Вторая часть учебника, являясь продолжением первой части, изданной в 1999 г., посвящена изложению базовых схем преобразователей постоянного напряжения в постоянное, постоянного – в переменное (автономные инверторы), переменного напряжения в переменное напряжение неизменной или регулируемой частоты. Материал также структурирован в соответствии с принципом «четыре в одном» по четырем уровням доступности изложения: два уровня для «неспециалистов» по силовой электронике и два уровня для «специалистов» по силовой электронике. Основным методом анализа энергетических характеристик преобразователей является прямой метод.
icrobolometers are infrared detectors whose resistance changes with temperature. The infrared radiation from objects located at various temperatures falls on top of a microbolometer surface, causing its temperature to increase, which in turn changes the bolometer’s resistance. While amorphous silison (a-Si) and vanadium oxide (VOx) are the two most widely used microbolometer materials for commercial applications, several other new materials, such as doped-VOx, germanium-based alloys, niobium oxide, titanium oxide, carbon nanotubes, and graphene, have also shown potentials. This review provides a thorough analysis of conventional and potential new materials used in the sensing layer of microbolometers. Furthermore, it covers the atomic compositions of each material, their deposition and synthesis processes, and their electro-optical and other properties relevant to microbolometer applications. This periodic analysis also provides in-depth descriptions of the figures of merit for microbolometers made from each of the materials used so far. These figures of merit include the temperature coefficient of resistance, responsivity, detectivity, and noise equivalent temperature difference (NETD), among others. The performance of microbolometers made of each of the materials is also compared
Mid-wavelength infrared (MWIR) and long-wavelength infrared (LWIR) detectors, which operate within the 3–14 μm wavelength range, have been extensively employed in various fields, including military, space exploration, environmental monitoring, biomedicine, and chemical analysis. While thermal detectors are commonly used, their limitations in sensitivity and response time render them less suitable for next-generation MWIR and LWIR applications. These advanced applications necessitate the use of narrow bandgap semiconductor-based photodetectors, which offer tunable optoelectronic properties and higher specific detectivity compared to thermal detectors. In this review, we provide a detailed analysis of the operational principles and manufacturing strategies of infrared photodetectors based on narrow bandgap semiconductors, which enable high-performance detection in the MWIR and LWIR regions. Our focus is specifically on scalable fabrication of MWIR and LWIR photodetectors, emphasizing devices with active areas ranging from millimeters to centimeters. Researches on large-scale fabrication of infrared photodetectors using quantum dots, two-dimensional (2D) van der Waals (vdW) materials, and three-dimensional (3D) bulk semiconductors are investigated. Finally, we summarize the remaining challenges in developing scalable narrow bandgap semiconductor-based MWIR and LWIR photodetectors for commercialization.