Приведены результаты компьютерного анализа характеристик электроннооптической системы (ЭОС) с электростатической фокусировкой, предназначенной для использования в широкоформатном электронно-оптическом преобразователе (ЭОП) c временным разрешением порядка 1 пс по всему рабочему полю вдоль пространственной оси. Полученные результаты могут быть полезными при создании систем высокоскоростной фотохронографии.
Приведены конструкция, а также расчетные и экспериментальные характеристики пакетированного пятирезонаторного усилительного клистрона с распределенным взаимодействием, предназначенного для аппаратуры миллиметрового диапазона, в том числе мощных усилительных цепочек с маломощным входным твердотельным генератором. В экспериментальном макете клистрона средневолновой части миллиметрового диапазона при ускоряющем напряжении 18 кВ и токе пучка 0,5 А обеспечивается усиление до 50 дБ, выходная импульсная мощность около 2 кВт, полоса усиления 0,25—0,35 %. Рассмотрены возможности расширения полосы частот.
В белых светодиодах (фирма Foryard Optoelectronics) на основе p-n-гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с тонким активным слоем InGaN и верхним люминофорным покрытием (алюмоиттриевый гранат, активированный церием), полученных на подложке из Al2O3,, определены параметры центров рекомбинации по приведенной скорости рекомбинации Rred: энергии активации и коэффициенты захвата. Установлен диапазон изменения концентрации глубоких уровней Ndeep и вероятности туннелирования в интервале изменения напряжения 1—2 В.
Исследовалось влияние имитирующих факторов ядерного взрыва и протонного облучения на фотоэлектрические свойства фотодиодов на основе селенида индия. Установлено, что импульсное гамма-излучение и импульсное нейтронное облучение приводят к улучшению фотоэлектрических характеристик исследуемых фотодиодов. Показано, что большие флюенсы нейтронного облучения облегчают процесс образования комплексов в межслойном промежутке слоистого селенида индия, вследствие чего несколько ухудшаются фотоэлектрические параметры фотодиодов.
Проведены разработка и исследование радиационной стойкости фотодиодов на основе слоистых соединений GaSe, InSe, GaTe, предназначенных для видимой и ближней ИК-областей спектра и процесса диффузии различных примесей в слоистых полупроводниках. Показано, что в новой технологии изготовления фотодиодных структур исходные материалы GaSe, InSe, GaTe подвергались воздействию ионизирующего облучения при малых флюенсах, а потом на них производились процессы диффузии компенсирующих элементов с предварительным отжигом. Указанные изменения в технологии получения фоточувствительных элементов позволили получить фотодиодные структуры более пяти элементов. Определена радиационная стойкость исследуемых фотодиодов и выявлена возможность использования их в условиях повышенной радиации.
Приведены общие сведения о горных технологиях разработки месторождений. Особое внимание уделено специальным способам разработки месторождений и их специфике. Рассмотрены возможности совершенствования этих способов. Определена область их эффективного использования. Даны расчёты параметров специальных способов разработки.
Для студентов, магистров и аспирантов высших учебных заведений, обучающихся по горно‑геологическим специальностям по направлению подготовки «Технологии геологической разведки.
Освещены вопросы формирования качества руд при их подземной добыче. Особенность книги — в системном подходе к решению проблемы качества минерального сырья. Показаны значение, состояние и тенденция изменения качества руд, традиционные и новые пути обеспечения требований потребителей в условиях закономерного ухудшения качества рудоминеральной базы. Дан анализ научных и инженерных разработок в части совершенствования средств и способов управления качеством руд, а также экспериментальных работ по ряду горнодобывающих предприятий. Предложены принципиальные положения и методологии, направленные на решение проблемы рудного сырья путём создания подземных горно‑добывающих производств с адаптированными в них технологиями рудоподготовки. Основные решения по управлению качеством добычи рассмотрены с позиций получения конечных результатов всего горно‑металлургического комплекса с их интегральной оценкой.
Для инженерно‑технических работников рудников, обогатительных и металлургических предприятий, проектных, конструкторских и научно‑исследовательских организаций. Может быть использована в учебном процессе горных вузов.
Приведены результаты исследования экспериментальных образцов биполярного магнитотранзистора с базой в кармане (БМТБК). Установлена связь разбаланса выходных характеристик и дифференциальной чувствительности с отрицательным сопротивлением входных характеристик БМТБК. С помощью приборно-технологического моделирования определены физические эффекты, характеризующие особенности БМТБК.
Представлены результаты исследований последних отечественных разработок высокочувствительных черно-белых ПЗС-камер для оптических телескопов. На примере ПЗС-камеры SDU-259 (ООО “Спецтелетехника”, Москва) показана возможность ее работы в качестве цифрового телеподсмотра гидов больших оптических телескопов. В САО РАН создана модифицированная ПЗС-камера SDU-259C, оснащенная термоэлектрическим холодильником. Приведены ее характеристики и результаты ее исследований на 10-дюймовом телескопе “MEADE LXD-55 10in”.
Проведено компьютерное моделирование низкотемпературного термоэлемента в режиме максимального перепада температуры. В расчете использованы экспериментальные данные лучших низкотемпературных термоэлектриков. Выявлены предельные возможности термоэлектрического охлаждения в интервале температур 50—90 К.