Статья: Параметры центров рекомбинации структур InGaN/AlGaN/GaN с люминофорным покрытием

В белых светодиодах (фирма Foryard Optoelectronics) на основе p-n-гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с тонким активным слоем InGaN и верхним люминофорным покрытием (алюмоиттриевый гранат, активированный церием), полученных на подложке из Al2O3,, определены параметры центров рекомбинации по приведенной скорости рекомбинации Rred: энергии активации и коэффициенты захвата. Установлен диапазон изменения концентрации глубоких уровней Ndeep и вероятности туннелирования в интервале изменения напряжения 1—2 В.

Информация о документе

Формат документа
PDF
Кол-во страниц
1 страница
Загрузил(а)
Лицензия
—
Доступ
Всем

Информация о статье

ISSN
1996-0948
EISSN
2949-561X
Журнал
Прикладная физика
Год публикации
2008
Автор(ы)
Грушко Н. С., Хайрулина А. С.
Каталог SCI
Физика

Статистика просмотров

Статистика просмотров статьи за 2026 год.

Ранее вы смотрели (10)
Будьте первым, кто начнет обсуждение

Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.