Методами ПЭМ проведены исследования особенностей дефектообразования в пластинах КЦТ до и после термообработки. Установлено, что в процессе проведения отжигов пластин, соответствующих режимам получения эпитаксиальных структур, не наблюдается заметного изменения как плотности, так и средних размеров “ростовых” преципитатов, которые можно разбить на три размерные группы. Показано, что мелкие преципитаты (1,5—3,0 нм) представляют собой области, когерентно сопряженные с матрицей КЦТ и сохраняющие последовательность атомных плоскостей решетки. Такие образования представляют собой области с повышенным содержанием атомов Те, являющиеся начальной стадией образования наноразмерных преципитатов теллура.
Описано явление накачки квантовой составляющей энергии движения частиц, совершающих инфинитное движение. При взаимодействии пучка электронов с лазерным излучением на частоте осцилляций плотности вероятности должна наблюдаться резонансная пространственная перестройка пучка, увеличивающая квантовую составляющую энергии движения.
Описана методика времяпролётных катодолюминесцентных исследований полупроводниковых образцов, покрытых светонепроницаемой маской специальной геометрии. Приведены результаты экспериментальных измерений затухания катодолюминесценции для образцов монокристаллического нитрида галлия в широком диапазоне температур (5—300 К). Показана возможность практической реализации данной методики в катодолюминесцентных исследованиях.
Рассмотрена схема управления током разряда магнитоплазмодинамического ускорителя, основанная на схеме Моргана. Теоретически показано, что режим работы ускорителя в зависимости от параметров схемы может быть стационарным, модуляционным и импульсным. Найдено необходимое условие работы ускорителя в периодическом режиме. Проведены расчеты формы импульса разрядного тока. Найдено условие перехода от модуляционного режима к импульсному. Численно исследованы зависимости глубины модуляции (для модуляционного режима) и скважности (для импульсного режима) от периода работы схемы при различных значениях её параметров. Найдены минимально возможные значения периода работы схемы, а также и максимально возможные значения длительности стадии стационарного значения тока.