На основе поликристаллов YBa2Cu3O7-x разработано устройство — формирователь гармоник, в котором используются нелинейные магнитные свойства данного высокотемпературного сверхпроводника. Устройство позволяет формировать широкий спектр гармоник. Амплитуды высших гармоник плавно уменьшаются с увеличением номера гармоники. Предлагаемое устройство имеет широкий динамический диапазон, проще конструктивно и более надежно по сравнению с имеющимися устройствами.
По результатам испытаний тепловизионного прибора реструктурируют инфракрасную (ИК) сигнатуру объекта наблюдения на фрагменты, формирующие его видеообраз. Дальность распознавания для нормированных условий вычисляют как дальность обнаружения фрагментов видеообраза, замещая их эквивалентными мирами.
Представлены результаты разработки одно- и двухдиапазонных просветляющих покрытий, спектроделительных, дихроичных покрытий и высокоотражающих зеркал для тепловизионных приборов нового поколения.
Показано, что при определенных условиях диффузионный ток Idm центральных n+-p-переходов многоэлементного ИК-фотоприемника на основе Hg1-xCdхTe (x ≈ 0,2) может быть существенно меньше диффузионного тока единичного n+-p-перехода на основе той же самой гетероэпитаксиальной структуры. При этом величина Idm хорошо описывается в рамках одномерной модели n+-p-перехода с короткой базой и блокирующим контактом, в то время как в рассматриваемом многоэлементном ИК-фотоприемнике контакты в p-области являются омическими, и расстояние между ними и крайними пикселами превышает диффузионную длину электронов.
Представлена разработка InGaP-фотокатода для электронно-оптических преобразователей (ЭОП), работающих в видимом диапазоне спектра. Оптимизированы технологические и конструктивные параметры InGaP-фотокатода. С помощью метода дифракции быстрых электронов оценено качество подготовки поверхности фотокатода перед активировкой. Герметизированные в ЭОП образцы фотокатодов имели интегральную чувствительность S = 300 мкА/лм и квантовую эффективность на длине волны 560 нм – QE = 30 %. Намечены пути дальнейшего усовершенствования InGaP-фотокатода.
Многоэлементные фотоприемники обладают значительным разбросом чувствительности между элементами, что приводит к появлению на выходном изображении помех за счет различия выходных напряжений элементов при одинаковых параметрах облучающего сигнала. Для исключения указанных дефектов изображения применяются различные методы выравнивания чувствительности каналов. При этом надо заметить, что эффективность такого выравнивания во многом зависит от исходного разброса вольтовой чувствительности многоэлементного фотоприемника.
Представлены результаты воздействия пленки Si3N4, осажденной в плотной плазме, на темновой ток и стабильность планарного InGaAs/InP pin-ФД. Указаны режимы осаждения пленки из смеси азота с моносиланом и параметры полученной пленки. Технология осаждения пленки Si3N4 обеспечивает получение и стабилизацию плотности темнового тока планарного InGaAs/InP pin-ФД на уровне 10-5—10-6 А/см2, в том числе и при повышенной температуре.
Обращенная магнитная конфигурация (FRC — field reversed configuration) является одной из наиболее перспективных альтернативных систем магнитного удержания с высокими β. Поэтому она может рассматриваться как возможный вариант концепции реактора низкой нейтронной активности на смеси D–3He. В связи с проблемой аномального транспорта в FRC обсуждаются возможные скейлинги для времени удержания плазмы. Предложены скейлинги, основанные на различных физических предпосылках. Проведен анализ соответствия предложенных скейлингов существующим экспериментальным данным.
Представлены результаты прямых измерений параметров рентгеновского излучения, а также модельных расчетов, выполненных на основе регистрируемого в экспериментах спектра электронной эмиссии, из плазмы быстрого зет-пинча в среде тяжелых элементов.
Представлены результаты экспериментальных исследований влияния расхода газа на параметры импульсно-периодического режима отрицательной короны в потоке аргона. Установлено, что увеличение расхода газа вызывает увеличение длительности и изменение формы импульса тока отрицательной короны.