Исследовано влияние термического отжига на свойства поверхности эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe.
Рассмотрено инженерно‑геологическое обеспечение работ по расчёту максимальных параметров и управлению устойчивостью бортов карьеров и отвалов. Приведены методы лабораторного, натурного определения характеристик прочности и деформируемости глинистых и скальных пород, метод обратных расчётов оползней. Даны инструкции пользования программами по расчёту устойчивости карьерных откосов с численными примерами для всех расчётных схем и противодеформационными мероприятиями по обеспечению устойчивости карьерных откосов, а также инструментальным контролем за состоянием устойчивости прибортовых массивов карьеров.
В. Н. Попов — д‑р техн. наук, проф. кафедры «Маркшейдерское дело и геодезия» Московского государственного горного университета.
П. С. Шпаков — д‑р техн. наук, проф. Муромского института (филиала) Владимирского государственного университета.
Ю. Л. Юнаков — канд. техн. наук, доц. кафедры «Маркшейдерское дело» Государственного университета цветных металлов и золота.
Для студентов вузов, обучающихся по специальности «Маркшейдерское дело» направления подготовки «Горное дело».
Представлены конструкции ряда устройств на основе анизотропных оптикотермоэлементов, используемых для регистрации излучения. Показана перспективность их использования в качестве безмодуляционных неселективных координатно-чувствительных линеек и приемников, предназначенных для определения координат лучистых потоков в широких спектральном и динамическом диапазонах.
Во время отжигов, проводимых при изготовлении приборов с зарядовой связью (ПЗС), в объеме кремниевых пластин продолжается образование микродефектов. Предварительно созданная свободная зона остается бездефектной. Оказалось, что после первого длительного отжига в пластинах, прошедших полный цикл создания внутреннего геттера, эффективный геттер успевает образоваться уже при содержании кислорода больше, чем 6,5·1017 см-3, а в пластинах, прошедших только отжиг при 1150 °С, — больше чем 7,4·107 см-3. Это позволяет либо расширить диапазон начальных концентраций кислорода, либо проводить только отжиг при 1150 °C.
Исследована релаксация электрических свойств легированных As и Sb эпитаксиальных слоев HgCdTe, подвергнутых ионному травлению (ИТ). Показано, что образованные при ИТ донорные комплексы, ответственные за конверсию типа проводимости материала из исходного p-типа в n-тип, являются нестабильными. Установлено, что процессом, ответственным за релаксацию, является распад донорных комплексов, начинающийся после окончания процесса ИТ и вызванный уменьшением концентрации атомов междоузельной ртути, образующихся при ИТ.
Экспериментально исследованы свойства границ раздела HgCdTe с двухслойным диэлектриком SiO2 /Si3N4 и с анодным оксидом с помощью МДП-структур, созданных на основе гетероэпитаксиального HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Показано, что двухслойный диэлектрик SiO2 /Si3N4 хорошо подходит для пассивации поверхности матричных фотодиодов из-за возможностей управления зарядами в диэлектриках и на границе раздела.
Найдена эффективная ионно-оптическая система ионного источника с холодным катодом для формирования ионного пучка диаметром до 150 мм с неоднородностью плотности ионного тока не более 5 % и энергией ионов от 1 до 3 кВ. Такие параметры пучка позволяют проводить травление полупроводниковых материалов без радиационных повреждений и недопустимых тепловых нагрузок при плотности ионного тока до 1 мА/см2. Методом компьютерного моделирования определены параметры ионного пучка на выходе из разрядной ячейки, гарантирующие требуемую однородность плотности ионного тока при мультиплицировании разрядных ячеек, а также геометрические размеры электродов, обеспечивающие эти параметры.
Рассмотрены аберрации и предельное разрешение ахроматического масс-спектрометра с секторным однородным магнитным полем и с электростатической системой, состоящей из иммерсионной трехэлектродной призмы и трансаксиальной линзы.
Исследованы характеристики одно-, двух- и четырехступенчатых коллекторов для ламп бегущей волны (ЛБВ) с различными отношениями их размеров и длины замедленной волны; определены отличия результатов расчета при нестационарном и стационарном подходах и влияние остаточной группировки пучка. Рассмотрена динамика образования виртуального катода при торможении моноскоростного и модулированного электронных пучков.
Рассмотрены некоторые методологические особенности решения задач оптимизации интенсивных пучков заряженных частиц на примере модельной задачи о пушке Пирса. Исследованы поведение функции цели, ее чувствительность к изменению параметров, поэлектродный подход к оптимизации.