Научный архив: статьи

Рассмотрены вопросы межслойной изоляции и планаризации при изготовлении мультиплексоров с двухуровневой металлизацией. Приведены параметры разработанного КМОП-мультиплексора для микроболометрических матриц форматом 160X120.

Проведены электронографические исследования структуры аморфных кремниевых пленок, полученных магнетронным распылением в вакууме, и поликристаллических кремниевых пленок, полученных пиролизом моносилана при пониженном давлении. Отмечены лучшее структурное совершенство поликремниевых затворов и больший процент выхода мультиплексоров, использующих аморфные кремниевые пленки. В качестве омических контактов к болометрическим слоям на основе высокоомного a-Si рассмотрена система аморфный кремний — ванадий.

Приводится анализ устранения проблем, возникающих при получении индиевых контактных столбиков для стыковки кремниевых БИС с фотоприемными матрицами на основе соединений кадмий–ртуть–теллур (КРТ) [1—6]. Изучены операции базового процесса: cушка фоторезиста, получение слоев индия на кремниевой структуре, травление слоев индия. Показан базовый технологический процесс, в результате проведения которого на стыковочной поверхности образуются дефекты в виде вздутий в окрестности контактного столбика.

Рассмотрены особенности различных вариантов технологических маршрутов изготовления многослойной системы металлизации с индиевыми микроконтактами (системы V—Al—Mo, V—Al—V, V—Al—Cr—Ni). Приведены данные, обосновывающие применение каждого из слоев металла для достижения необходимых электрических параметров мультиплексоров и обеспечения нужной адгезии индия к верхнему слою металла при формировании индиевых микроконтактов.

Представлены сведения о начальной стадии развития многоэлементных полупроводниковых фотодиодных структур, связанных с изобретением в России координатно-чувствительного фотодиода с поперечным фотоэффектом (квадратного). Сообщается об изобретении в России схемы ВЗН на МОП-мультиплексорах. Представлены данные по развитию матричных ИК-фотодиодных структур по годам с 1975 по 1995 как за рубежом, так и в НПО “Орион”. Указаны перспективы развития работ по ИК-фотодиодным матрицам