Исследование процесса формирования индиевых микроконтактов на поверхности кремниевой пластины (2008)
Приводится анализ устранения проблем, возникающих при получении индиевых контактных столбиков для стыковки кремниевых БИС с фотоприемными матрицами на основе соединений кадмий–ртуть–теллур (КРТ) [1—6]. Изучены операции базового процесса: cушка фоторезиста, получение слоев индия на кремниевой структуре, травление слоев индия. Показан базовый технологический процесс, в результате проведения которого на стыковочной поверхности образуются дефекты в виде вздутий в окрестности контактного столбика.
Издание:
ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
Выпуск:
№2 (2008)