Научный архив: статьи

Приводится анализ устранения проблем, возникающих при получении индиевых контактных столбиков для стыковки кремниевых БИС с фотоприемными матрицами на основе соединений кадмий–ртуть–теллур (КРТ) [1—6]. Изучены операции базового процесса: cушка фоторезиста, получение слоев индия на кремниевой структуре, травление слоев индия. Показан базовый технологический процесс, в результате проведения которого на стыковочной поверхности образуются дефекты в виде вздутий в окрестности контактного столбика.

Рассмотрены особенности различных вариантов технологических маршрутов изготовления многослойной системы металлизации с индиевыми микроконтактами (системы V—Al—Mo, V—Al—V, V—Al—Cr—Ni). Приведены данные, обосновывающие применение каждого из слоев металла для достижения необходимых электрических параметров мультиплексоров и обеспечения нужной адгезии индия к верхнему слою металла при формировании индиевых микроконтактов.

Рассмотрена технология “взрывного” способа изготовления токоведущих систем и микроконтактов в больших интегральных схемах (БИС).