Теоретически изучено влияние внешних воздействий сейсмического происхождения на конвективные течения в подогреваемой снизу ячейке Хеле–Шоу. Произведен расчет температурных полей и формы течений в случае вертикального и горизонтального сейсмических сигналов. Результаты расчетов планируется использовать при проектировании прибора, способного регистрировать сейсмические воздействия. На основе численного моделирования выполнен подбор рабочей жидкости и найдены оптимальные значения геометрических параметров полости конвективного датчика ускорений.
Представлены результаты испытаний микрокриогенной системы (МКС) МСМГ-3В-1/80 КВО.0733.000, которые позволили присвоить конструкторской документации литеру “О” и допустить ее к проведению государственных испытаний в составе тепловизора ТПВК-24Н. Приведены параметры МКС, полученные при проведении приемосдаточных испытаний партии опытных образцов. Показано незначительное изменение параметров МКС в процессе испытаний (включая испытания на безотказность и долговечность).
Рассмотрены функциональная схема, особенности работы, преимущества и перспективы использования создаваемого в Федеральном государственном унитарном предприятии «Научно-производственное объединение “Государственный институт прикладной оптики”» (ФГУП «НПО “ГИПО”») лазерно-голографического комплекса для технологического и аттестационного контроля отдельных оптических элементов и объективов в инфракрасном диапазоне спектра 3 – 12 мкм.
Разработаны, изготовлены и исследованы одноэлементные и матричные гетеродинные фотоприемные устройства (ГФПУ) на основе КРТ-фотодиодов. Фоточувствительные элементы (ФЧЭ) размещены в холодной зоне вакуумного криостатируемого корпуса, сопряженного с микрокриогенной системой охлаждения (МКС), работающей по циклу Стирлинга. ГФПУ обладают большим быстродействием и высокой чувствительностью и могут широко применяться в ИК-аппаратуре для измерения скорости объектов, в системах ориентации и управления, лазерной локации, дальнометрии, оптических средствах связи.
Рассмотрены вопросы межслойной изоляции и планаризации при изготовлении мультиплексоров с двухуровневой металлизацией. Приведены параметры разработанного КМОП-мультиплексора для микроболометрических матриц форматом 160X120.
Приведены результаты исследования методами наведенного тока планарных фотодиодных структур на основе эпитаксиальных пленок InSb, полученных продольной кристаллизацией на сапфире, с применением имплантации ионов Ве+ и анодной оксидной пленки с последующим нанесением пленки SiOx для защиты поверхности. Представлен сравнительный анализ результатов в случае применения серийных монокристаллов разных марок и кристаллов на основе эпитаксиальных пленок.
Данная статья является продолжением серии работ ФГУП «НПО “ГИПО”» и КФТИ КНЦ РАН по исследованию электрофизических свойств полумагнитного твердого раствора MnHgTe и сравнению его электрофизических свойств со свойствами твердого раствора CdHgTe. Изучена защитная оксидная пленка на эпитаксиальных слоях CdHgTe и MnHgTe, полученная анодированием поверхности в водном растворе лимонно-кислого натрия. Показано, что оксидная пленка на слоях MnHgTe имеет бóльшую химико-механическую устойчивость по сравнению с устойчивостью пленок на слоях CdHgTe.
Рассмотрены способы и принципы реализации алгоритмов обработки сигналов многоэлементного фотоприемного устройства ИК-диапазона посредством использования жесткой логики программируемой логической интегральной микросхемы (ПЛИС). Представлены схемотехнические решения построения алгоритмов. Приведены результаты практического использования реализованных алгоритмов. Алгоритмы цифровой обработки сигналов реализованы на микросхеме программируемой логики серии Cyclone фирмы Altera.
Проведены электронографические исследования структуры аморфных кремниевых пленок, полученных магнетронным распылением в вакууме, и поликристаллических кремниевых пленок, полученных пиролизом моносилана при пониженном давлении. Отмечены лучшее структурное совершенство поликремниевых затворов и больший процент выхода мультиплексоров, использующих аморфные кремниевые пленки. В качестве омических контактов к болометрическим слоям на основе высокоомного a-Si рассмотрена система аморфный кремний — ванадий.
Представлены метод расчета и программа численного проектирования на ЭВМ электронно-оптических систем приборов СВЧ О-типа с полевой эмиссией. Программа позволяет рассчитывать ЭОС с матричными углеродными автоэмиссионными катодами, катодами типа Спиндта и лезвийными катодами. Правильность работы программы подтверждена в результате решения тестовой задачи, а также путем сопоставления данных расчета с результатами экспериментального исследования электронного пучка.
Рассмотрены общие вопросы, связанные с исследованием как времяпролетных, так и пространственных характеристик фокусировки заряженных частиц.
Предложена общая теория фокусировки заряженных частиц в постоянных электрических и магнитных полях, которая полностью учитывает особенности фокусировки в электронных зеркалах и эмиссионных системах.