Исследование планарных фотодиодных структур на пленках InSb, полученных на сапфире методом продольной кристаллизации (2008)
Приведены результаты исследования методами наведенного тока планарных фотодиодных структур на основе эпитаксиальных пленок InSb, полученных продольной кристаллизацией на сапфире, с применением имплантации ионов Ве+ и анодной оксидной пленки с последующим нанесением пленки SiOx для защиты поверхности. Представлен сравнительный анализ результатов в случае применения серийных монокристаллов разных марок и кристаллов на основе эпитаксиальных пленок.
Издание:
ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
Выпуск:
№3 (2008)