Исследование планарных фотодиодных структур на пленках InSb, полученных на сапфире методом продольной кристаллизации (2008)
Приведены результаты исследования методами наведенного тока планарных фотодиодных структур на основе эпитаксиальных пленок InSb, полученных продольной кристаллизацией на сапфире, с применением имплантации ионов Ве+ и анодной оксидной пленки с последующим нанесением пленки SiOx для защиты поверхности. Представлен сравнительный анализ результатов в случае применения серийных монокристаллов разных марок и кристаллов на основе эпитаксиальных пленок.
Издание:
ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
Выпуск:
№3 (2008)
Фотодиоды из антимонида индия с эффектом Мосса—Бурштейна на основе жидкофазных гомоэпитаксиальных структур (2012)
Изготовлены и исследованы 64-элементные линейки фотодиодов на жидкофазных гомоэпитаксиальных структурах антимонида индия типа n (пленка) — n+(подложка) по базовой имплантационной технологии ОАО «Московский завод “САПФИР”». Показана возможность применения таких фотодиодов с одинаковым успехом при облучении как со стороны эмиттера (р+-слоя), так и со стороны подложки.
Издание:
ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
Выпуск:
№4 (2012)