Публикации автора

Проведен компьютерный расчет модели плазменного слоя у непроводящей поверхности в пучково‐плазменном разряде (ППР) при слабом магнитном поле в камере. Правильность результатов компьютерного расчета подтверждена экспериментальными данными. На основе результатов компьютерного расчета выбран оптимальный режим травления GaAs в плазмохимическом реакторе на основе ППР. Проведен также расчет аналогичной модели для режимов напыления алмазноподобных пленок.

Представлены результаты исследований группы быстрых электронов плазмы СВЧ-разряда в магнитной ловушке “Магнетор”. Информация о наличии и расположении данной группы электронов важна для определения полного давления плазмы с учетом проведенных ранее зондовых измерений. Установлено, что быстрые электроны локализованы внутри магнитной сепаратрисы в области удержания основной плазмы. Максимальная энергия быстрых электронов выше 25 кэВ.

Показана возможность генерации высоковольтных импульсов в автоколебательном режиме горения пучково‐плазменного разряда. Импульсы отрицательного напряжения с амплитудой до 40 кВ регистрируются на контактирующем с плазмой электроде, постоянное отрицательное напряжение смещения которого составляет 200—300 В.