Ионный поток на непроводящую поверхность в пучково-плазменном разряде: расчет и эксперимент (2009)
Проведен компьютерный расчет модели плазменного слоя у непроводящей поверхности в пучково‐плазменном разряде (ППР) при слабом магнитном поле в камере. Правильность результатов компьютерного расчета подтверждена экспериментальными данными. На основе результатов компьютерного расчета выбран оптимальный режим травления GaAs в плазмохимическом реакторе на основе ППР. Проведен также расчет аналогичной модели для режимов напыления алмазноподобных пленок.
Издание:
ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
Выпуск:
№6 (2009)