Научный архив: статьи

Проведены численное моделирование динамики развития пучковой неустойчивости в ограниченном объеме плазмы при слабом магнитном поле и измерения функции распределения электронов по скоростям. Результаты физических и машинных экспериментов позволили определить механизм исследуемого эффекта и найти способ управления энергией и плотностью ионного потока. Одно из возможных приложений эффекта — новый тип плазмохимического реактора для обработки материалов, используемых в электронике. Проведена апробация технологии мягкого травления барьерного слоя гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs.

Проведен компьютерный расчет модели плазменного слоя у непроводящей поверхности в пучково‐плазменном разряде (ППР) при слабом магнитном поле в камере. Правильность результатов компьютерного расчета подтверждена экспериментальными данными. На основе результатов компьютерного расчета выбран оптимальный режим травления GaAs в плазмохимическом реакторе на основе ППР. Проведен также расчет аналогичной модели для режимов напыления алмазноподобных пленок.

Показано, что на основе ранее обнаруженного эффекта генерации в пучково‐плазменном разряде (ПРР) ионного потока от оси разряда может быть создан плазмохимический реактор для низкоэнергетичного травления полупроводниковых структур. Здесь показана возможность простого управления плотностью и энергией ионного потока путем изменения потенциала коллектора разряда. Реализованы средства компенсации заряда ионного потока, падающего на непроводящую поверхность, с помощью модуляции потенциала держателя подложки, а также путем модуляции потенциала плазмы.

Разработана физическая модель, позволяющая применять компьютерный код КАРАТ для моделирования квазистационарного состояния пучково‐плазменного разряда с регенерацией плазмы из нейтрального газа. Представлены результаты моделирования режимов с различными потенциалами на коллекторе разряда. Приведено сравнение результатов для ″изолированных“ и заземленных приемников ионов.