Проведены численное моделирование динамики развития пучковой неустойчивости в ограниченном объеме плазмы при слабом магнитном поле и измерения функции распределения электронов по скоростям. Результаты физических и машинных экспериментов позволили определить механизм исследуемого эффекта и найти способ управления энергией и плотностью ионного потока. Одно из возможных приложений эффекта — новый тип плазмохимического реактора для обработки материалов, используемых в электронике. Проведена апробация технологии мягкого травления барьерного слоя гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs.
A numerical simulation of dynamics of beam instability development in a bounded volume of plasma at a low magnetic field and measurements of a velocity distribution function of electrons have been carried out. Is shown, that in area occupied by an electron beam highly non-equilibrium plasma with mean energy of electrons reaching hundreds of eV is formed due to accumulation of HF field. The acceleration of ions is a consequence of presence of a potential gradient between area with high level of microwave oscillations and peripheral area of plasma have been carried out. The effect of essential heating of electrons in paraxial area is detected. Results of physical and computer experiments have enabled to determine a mechanism of the effect under studies and to find a way of control of the flow energy and density. Possible application of the effect is a novel plasma processing reactor for treatment of materials used in electronics engineering. In particular, information is represented here on approbation of soft etching technology of AlGaAs barrier layer at semiconducting AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructure.
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
- УДК
- 53. Физика
1. Описан эффект ускорения ионов в пучковоплазменном разряде в слабом магнитном поле, который может быть основой технологии низко-энергетичного травления материалов для микро- и наноэлектроники. Проводимые физические эксперименты и компьютерное моделирование исследуемых процессов позволяют идентифицировать физические механизмы и одновременно разработать способы и технические средства управления характеристиками ионных потоков в технологическом процессе.
2. Проведена апробация технологии мягкого травления ионными потоками из ППР в среде аргона псевдоморфных полупроводниковых гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs (P-HEMT), использующихся для изготовления полевых СВЧ-транзисторов. Исследовано влияние такой обработки на концентрацию и подвижность электронов, чувствительных к радиационным дефектам, вносимым в процессе травления. Показано наличие эффекта травления без существенной деградации параметров гетероструктур (подвижности электронов), что свидетельствует о малой плотности радиационных нарушений и возможности использования ППР в технологии изготовления гетероструктурных СВЧ НЕМТ приборов.
3. Проведены компьютерные и физические эксперименты, позволившие определить способы и средства оптимизации энергетических характеристик ионных потоков для эффективного травления гетероструктур.
Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.
Выпуск
Другие статьи выпуска
Теоретически изучено влияние внешних воздействий сейсмического происхождения на конвективные течения в подогреваемой снизу ячейке Хеле–Шоу. Произведен расчет температурных полей и формы течений в случае вертикального и горизонтального сейсмических сигналов. Результаты расчетов планируется использовать при проектировании прибора, способного регистрировать сейсмические воздействия. На основе численного моделирования выполнен подбор рабочей жидкости и найдены оптимальные значения геометрических параметров полости конвективного датчика ускорений.
Представлены результаты испытаний микрокриогенной системы (МКС) МСМГ-3В-1/80 КВО.0733.000, которые позволили присвоить конструкторской документации литеру “О” и допустить ее к проведению государственных испытаний в составе тепловизора ТПВК-24Н. Приведены параметры МКС, полученные при проведении приемосдаточных испытаний партии опытных образцов. Показано незначительное изменение параметров МКС в процессе испытаний (включая испытания на безотказность и долговечность).
Рассмотрены функциональная схема, особенности работы, преимущества и перспективы использования создаваемого в Федеральном государственном унитарном предприятии «Научно-производственное объединение “Государственный институт прикладной оптики”» (ФГУП «НПО “ГИПО”») лазерно-голографического комплекса для технологического и аттестационного контроля отдельных оптических элементов и объективов в инфракрасном диапазоне спектра 3 – 12 мкм.
Разработаны, изготовлены и исследованы одноэлементные и матричные гетеродинные фотоприемные устройства (ГФПУ) на основе КРТ-фотодиодов. Фоточувствительные элементы (ФЧЭ) размещены в холодной зоне вакуумного криостатируемого корпуса, сопряженного с микрокриогенной системой охлаждения (МКС), работающей по циклу Стирлинга. ГФПУ обладают большим быстродействием и высокой чувствительностью и могут широко применяться в ИК-аппаратуре для измерения скорости объектов, в системах ориентации и управления, лазерной локации, дальнометрии, оптических средствах связи.
Рассмотрены вопросы межслойной изоляции и планаризации при изготовлении мультиплексоров с двухуровневой металлизацией. Приведены параметры разработанного КМОП-мультиплексора для микроболометрических матриц форматом 160X120.
Приведены результаты исследования методами наведенного тока планарных фотодиодных структур на основе эпитаксиальных пленок InSb, полученных продольной кристаллизацией на сапфире, с применением имплантации ионов Ве+ и анодной оксидной пленки с последующим нанесением пленки SiOx для защиты поверхности. Представлен сравнительный анализ результатов в случае применения серийных монокристаллов разных марок и кристаллов на основе эпитаксиальных пленок.
Данная статья является продолжением серии работ ФГУП «НПО “ГИПО”» и КФТИ КНЦ РАН по исследованию электрофизических свойств полумагнитного твердого раствора MnHgTe и сравнению его электрофизических свойств со свойствами твердого раствора CdHgTe. Изучена защитная оксидная пленка на эпитаксиальных слоях CdHgTe и MnHgTe, полученная анодированием поверхности в водном растворе лимонно-кислого натрия. Показано, что оксидная пленка на слоях MnHgTe имеет бóльшую химико-механическую устойчивость по сравнению с устойчивостью пленок на слоях CdHgTe.
Рассмотрены способы и принципы реализации алгоритмов обработки сигналов многоэлементного фотоприемного устройства ИК-диапазона посредством использования жесткой логики программируемой логической интегральной микросхемы (ПЛИС). Представлены схемотехнические решения построения алгоритмов. Приведены результаты практического использования реализованных алгоритмов. Алгоритмы цифровой обработки сигналов реализованы на микросхеме программируемой логики серии Cyclone фирмы Altera.
Проведены электронографические исследования структуры аморфных кремниевых пленок, полученных магнетронным распылением в вакууме, и поликристаллических кремниевых пленок, полученных пиролизом моносилана при пониженном давлении. Отмечены лучшее структурное совершенство поликремниевых затворов и больший процент выхода мультиплексоров, использующих аморфные кремниевые пленки. В качестве омических контактов к болометрическим слоям на основе высокоомного a-Si рассмотрена система аморфный кремний — ванадий.
Представлены метод расчета и программа численного проектирования на ЭВМ электронно-оптических систем приборов СВЧ О-типа с полевой эмиссией. Программа позволяет рассчитывать ЭОС с матричными углеродными автоэмиссионными катодами, катодами типа Спиндта и лезвийными катодами. Правильность работы программы подтверждена в результате решения тестовой задачи, а также путем сопоставления данных расчета с результатами экспериментального исследования электронного пучка.
Рассмотрены общие вопросы, связанные с исследованием как времяпролетных, так и пространственных характеристик фокусировки заряженных частиц.
Предложена общая теория фокусировки заряженных частиц в постоянных электрических и магнитных полях, которая полностью учитывает особенности фокусировки в электронных зеркалах и эмиссионных системах.
Рассмотрены системы низковольтного управления током электронного пучка в источниках излучения миллиметрового диапазона. Показана перспективность системы с управляющим электродом с положительным потенциалом в номинальном режиме в электроннооптических системах источников излучения О-типа коротковолнового участка этого диапазона. Изложен подход, проведены расчеты и представлены основные геометрические размеры двух вариантов электронных пушек с управляющим электродом, которые могут явиться основой для проектирования подобных систем.
Приведены некоторые результаты (в основном полученные впервые) исследований плазменных диодов и пучковой плазмы. Работы проводились в Сухумском физико-техническом институте, в Физическом институте им. П. Н. Лебедева (ФИАН) и в Институте общей физики им. А. М. Прохорова (ИОФРАН). Обзор работ разбит на четыре части. В первой части* рассмотрены работы по исследованию плазменных диодов.
Исследованы зондовые измерения локальных параметров плазмы в канале холловского двигателя номинальной мощностью 1,5 кВт при напряжениях разряда 300—1000 В и при анодных расходах рабочего тела 1,5—3,5 мг/с. Проведены измерения для двух специально подобранных режимов с существенно различными значениями напряжения разряда 300 и 790 В, но при одинаковой мощности разряда (расход ксенона составлял 3,5 и 1,5 мг/с, соответственно).
Продемонстрирована возможность использования пассивной корпускулярной диагностики для изучения процессов в плазме микропинчевого разряда. Времяпролетным методом получены распределения (спектры) ионов по скоростям в зависимости от величины тока в разряде. Сравнительный анализ полученных спектров и результатов параллельных исследований, а также расчетов в рамках модели радиационного сжатия позволил связать появление устойчивых групп частиц в зарегистрированных спектрах с процессами, происходящими в разрядном промежутке.
Рассмотрены особенности распылительной технологии нанесения оптических покрытий с помощью магнетронов, питаемых переменным напряжением средней частоты, и вопросы ее практической реализации. Показано, что эта технология обеспечивает получение оптических покрытий высокого качества.
Представлена физическая модель нелинейной диффузии мегагауссного магнитного поля в металлический проводник. Приведены результаты численного решения этой задачи при токах до 1 ГА. Показано, что токи, превышающие несколько десятков мегаампер, могут приводить к значительному увеличению максимально достижимых магнитных полей и к трансформации удержания вещества в магнитном поле. Обсуждается механизм этого явления. Построена вычисленная зависимость максимального давления гигабарного диапазона от тока.
Продемонстрированы возможности спектрометрии ядерного обратного рассеяния протонов с энергией 5—8 МэВ для экспертизы и контроля изменения состава различных материалов на примере спектров лекарственных средств, цемента, ряда бытовых химических средств, а также материалов из изотопов элементов. Полученные результаты свидетельствуют, что спектрометрия ядерного обратного рассеяния позволяет делать экспрессное экспертное заключение о соответствии (или несоответствии) исследуемого образца эталонному.
Построена стационарная изотермическая модель аэродинамики двухфазного потока в осесимметричном канале с учетом турбулентного и псевдотурбулентного механизмов переноса импульса твердой фазы. Получено замкнутое описание движения дисперсной фазы на уровне уравнений для вторых моментов пульсационных скоростей частиц. Замыкание уравнения движения газа осуществляется на основе однопараметрической модели турбулентности, обобщенной на случай двухфазных турбулентных течений. Приведено сравнение результатов расчета с экспериментальными данными.
Представлен полный термодинамический расчет параметров испарения для газа Ван-дер-Ваальса и газа Бертло. Дано сравнение результатов расчетов с экспериментальными данными для реальных газов.
Издательство
- Издательство
- АО "НПО "ОРИОН"
- Регион
- Россия, Москва
- Почтовый адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- Юр. адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- ФИО
- Старцев Вадим Валерьевич (ГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР)
- E-mail адрес
- orion@orion-ir.ru
- Контактный телефон
- +7 (499) 3749400