Научный архив: статьи

Имплантацией мышьяка в слои HgCdTe n-типа, выращенные методом МЛЭ на подложках из GaAs, изготовлены p+-n-переходы. Профили распределения мышьяка после легирования были измерены с помощью вторичной ионной масс-спектроскопии (ВИМС). Для электрической активации атомов мышьяка применялся двухстадийный отжиг. Тестовые фотодиоды были изготовлены по меза-технологии. Плотность темнового тока для полученных фотодиодов при смещении U = –0,1 В составляет ∼0,04 А/см2. Значение произведения R0⋅A лежит в диапазоне 20—28 Ом⋅см2 (λs = 9,7 мкм). Оценка интегральной ампер-ваттной чувствительности дает значение S = 1,92 А/Вт.

Сообщено о наблюдении спонтанного и стимулированного излучения в диапазоне длин волн 1,4—4,5 мкм из гетероструктур CdxHg1-xTe, выращенных на GaAs- и Si-подложках с помощью молекулярно-пучковой эпитаксии. Суперлюминесценция наблюдалась при температурах 77—300 K при оптической накачке импульсным Nd: YAG-лазером. Обсуждены детали образцов, экспериментальной установки, спектры излучения и возможные приложения.