Стимулированное и спонтанное излучение из пленок CdxHg1-xTe на GaAs- и Si-подложках при оптической накачке (2008)
Сообщено о наблюдении спонтанного и стимулированного излучения в диапазоне длин волн 1,4—4,5 мкм из гетероструктур CdxHg1-xTe, выращенных на GaAs- и Si-подложках с помощью молекулярно-пучковой эпитаксии. Суперлюминесценция наблюдалась при температурах 77—300 K при оптической накачке импульсным Nd: YAG-лазером. Обсуждены детали образцов, экспериментальной установки, спектры излучения и возможные приложения.
Издание:
ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
Выпуск:
№5 (2008)