Научный архив: статьи

Методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках Si (310) выращены слои Hg1-хCdхTe с составом х = 0,3—0,34. В выращенных структурах методом Холла измерены концентрация и подвижность носителей, методом селективного травления определена плотность дефектов упаковки, прорастающих дислокаций и антифазных границ, определена плотность макроскопических V-дефектов. Изготовлена матрица фотодиодов размерностью 128x128 с длинноволновой границей фоточувствительности λ1/2(77 К) = 4,07 мкм с высокими фотоэлектрическими характеристиками.

Сообщено о наблюдении спонтанного и стимулированного излучения в диапазоне длин волн 1,4—4,5 мкм из гетероструктур CdxHg1-xTe, выращенных на GaAs- и Si-подложках с помощью молекулярно-пучковой эпитаксии. Суперлюминесценция наблюдалась при температурах 77—300 K при оптической накачке импульсным Nd: YAG-лазером. Обсуждены детали образцов, экспериментальной установки, спектры излучения и возможные приложения.