Структурные и электрофизические свойства гетероэпитаксиальных пленок HgCdTe, выращенных методом МЛЭ на подложках Si (310) (2007)
Методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках Si (310) выращены слои Hg1-хCdхTe с составом х = 0,3—0,34. В выращенных структурах методом Холла измерены концентрация и подвижность носителей, методом селективного травления определена плотность дефектов упаковки, прорастающих дислокаций и антифазных границ, определена плотность макроскопических V-дефектов. Изготовлена матрица фотодиодов размерностью 128x128 с длинноволновой границей фоточувствительности λ1/2(77 К) = 4,07 мкм с высокими фотоэлектрическими характеристиками.
Издание:
ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
Выпуск:
№4 (2007)