Научный архив: статьи

Экспериментально исследовано влияние сопротивления объема и приповерхностных варизонных слоев на электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур, созданных на основе гетероэпитаксиального КРТ, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Показано, что для структур без варизонного слоя при составе x = 0,22 в сильной инверсии дифференциальное сопротивление ОПЗ ограничено процессами туннельной рекомбинации через глубокие уровни.

Имплантацией мышьяка в слои HgCdTe n-типа, выращенные методом МЛЭ на подложках из GaAs, изготовлены p+-n-переходы. Профили распределения мышьяка после легирования были измерены с помощью вторичной ионной масс-спектроскопии (ВИМС). Для электрической активации атомов мышьяка применялся двухстадийный отжиг. Тестовые фотодиоды были изготовлены по меза-технологии. Плотность темнового тока для полученных фотодиодов при смещении U = –0,1 В составляет ∼0,04 А/см2. Значение произведения R0⋅A лежит в диапазоне 20—28 Ом⋅см2 (λs = 9,7 мкм). Оценка интегральной ампер-ваттной чувствительности дает значение S = 1,92 А/Вт.