Гистерезис вольт-фарадных характеристик структур на р-Cd0,27Hg0,73Te с широкозонным варизонным слоем на поверхности (2008)
Обнаружено, что вольт-фарадные характеристики (ВФХ) структуры на основе p-Cd0,27Hg0,73Te демонстрируют характерный гистерезис: при прямом ходе развертки (от минуса к плюсу) ВФХ близка к обычной высокочастотной, а при обратном ходе имеется протяженная полочка, на которой емкость области пространственного заряда (ОПЗ) становится примерно в два раза больше. Для объяснения хода ВФХ рассматриваются особенности зонной структуры варизонного полупроводника.
Издание:
ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
Выпуск:
№1 (2008)