Проведены исследования электрофизических и фотоэлектрических свойств LWIR nBn-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области для экспериментальной демонстрации её работоспособности. На основе выращенных методом МЛЭ в ИФП СО РАН двух различных эпитаксиальных плёнок n-HgCdTe с барьерным слоем в виде свехрешётки были изготовлены две тестовые nBn-структуры с мезаструктурами различного диаметра. Были исследованы вольт-амперные характеристики при комнатной температуре. Для обеих структур наблюдается тенденция к увеличению общей плотности тока при уменьшении диаметра мезаструктуры, что свидетельствует о значительном вкладе тока поверхностной утечки в общий ток структуры. Результаты анализа компонент темнового тока и энергий активации показали, что обе исследованные структуры по своим фундаментальным параметрам являются пригодными для детектирования излучения в LWIR диапазоне. На одной из исследованных структур обнаружен фототок при постоянной ИК подсветке при низких криогенных температурах. При небольших напряжениях смещения (менее –0,1 В) происходит значительное увеличение тока при воздействии подсветки, и это влияние увеличивается при уменьшении температуры.
The electrical and photoelectric properties of LWIR nBn structures based on HgCdTe with a superlattice in the barrier region were studied to experimentally demonstrate their performance. Two test nBn structures with mesa structures of different diameters were fabricated using MBE at the ISP SB RAS. The current-voltage characteristics were studied at room temperature. For both structures, a tendency toward an increase in the total current density with decreasing mesa structure diameter was observed, indicating a significant contribution of the surface leakage current to the overall dark current. Analysis of the dark current components and activation energies showed that both studied structures, based on their fundamental parameters, are suitable for detecting radiation in the LWIR range. Despite this, one of the studied structures demonstrated the observation of a photocurrent under constant IR illumination at low temperatures. At small bias voltages (less than –0.1 V), there is a significant increase in current when exposed to backlight, and this effect increases with decreasing temperature.
Предпросмотр статьи
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.