Выявлены новые свойства резонансных колебательных систем, позволяющие путем использования в них затухающих переходных процессов и подбора режимов их работы выделить полезный сигнал, который может быть ниже порога чувствительности средства его обнаружения, а также увеличить вдвое его чувствительность. В качестве примеров в работе рассмотрены маятник крутильных колебаний, механический осциллятор и электромагнитный контур радиоприемного устройства. Обсуждаются возможности прикладного использования полученных результатов.
The theoretical and experimental research carried out by author made it possible to uncover new properties of dynamic oscillatory systems that allow, by using of unsteady-state processes and selecting resonant modes of their operation to obtain an oscillatory system till sensitivity threshold, as well as to increase its sensitivity twofold. As examples the paper consider a torsion pendulum and a radio receiver’s electromagnetic circuit. The possibilities for the applied use of the results obtained are discussed.
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
Установленная взаимосвязь между максимальным расхождением огибающих затухающих переходных процессов и параметрами неизвестного сигнала при воздействии его на КС в противофазных режимах позволяет обнаружить сверхмалые информационные сигналы за порогом чувствительности средства для его обнаружения, когда традиционные способы их выделения неэффективны или неприемлемы из-за высоких уровней флуктуационных помех. При неизвестной начальной фазе сигнала это достигается путем последовательных изменений фаз с противоположными знаками. Использование процесса вычитания сигналов позволяет вдвое увеличить чувствительность устройства по сравнению с обычным режимом работы. Для реализации метода достаточно лишь традиционных технических средств без существенного изменения системы в целом.
Продолжительность формирования информационного сигнала зависит от быстродействия вычислительных средств и может составить от единиц до десятка периодов колебаний сигнала в зависимости от требуемой точности и надежности его воспроизведения.
Результаты исследований могут быть использованы для решения прикладных задач в науке и технике: при создании высокотехнологичных измерительных средств и систем, разработке датчиков различного назначения, для обеспечения надежности радиосвязи в экстремальных условиях на Земле, в ближнем и дальнем космосе и т. д.
Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.
Выпуск
Другие статьи выпуска
Приведена перспектива промышленного освоения покрытий нового поколения — градиентных оптических покрытий и толстых коррекционных слоев, способных изменять ход лучей в оптической среде и требующих синтеза новых пленкообразующих материалов. Изготовлены оптические покрытия с применением цирконата гадолиния (Gd2Zr2O7) и цирконата лютеция (Lu2Zr2O7), отличающиеся повышенными оптическими параметрами по сравнению со стандартными и обладающие высокой механической, лучевой и термической стойкостью.
ТВ-система “Все Небо” предназначена для дистанционного компьютерного контроля наблюдений на оптических телескопах САО состояния ночной облачности в реальном времени одновременно по всей небесной полусфере в районе телескопов. Рассмотрены особенности создания подобных систем. Приведены технические характеристики устройств системы, программные интерфейсы, принцип работы.
Рассмотрена схема и приведены основные технические характеристики портативного активно-импульсного (АИ) ночного бинокля, который обеспечивает распознавание ростовой фигуры человека в пассивном режиме на дальности до 500 м (звездная ночь), в активноимпульсном режиме — на дальности до 800 м. Угол поля зрения бинокля в пассивном режиме составляет 10° в активно-импульсном режиме — 1,5x0,75° точность измерения дальности не хуже ±10 м, масса не более 1,2 кг, энергопотребление не более 10 Вт при питании от напряжения 12 В постоянного тока.
Приведены расчеты предельных порогов чувствительности приемных устройств с СО2-квантовыми усилителями (ПУ с КУ), предназначенных для лазерных локаторов и активных систем видения. При расчетах учитывались зависимости порогов чувствительности ПУ с КУ от параметров КУ, характеристик используемых в них приемников и методов (электрических или визуальных) регистрации сигналов.
Исследована работа термоэлектрического охладителя, который состоит из основного и вспомогательного термоэлементов с точки зрения холодильного коэффициента.
Предложен мультиспектральный тепловизор на основе матричного тепловизора и интерферометров, установленных под углом Брюстера к оптической оси устройства. Приведены расчеты параметров этого устройства. Ожидается, что подобные устройства могут быть пригодны для получения пространственной и спектральной информации о быстропротекающих явлениях, например взрывах.
Предложена CVD-методика получения массивных однородных по составу ZnSxSe1-x. Проведен сравнительный анализ оптических и структурных характеристик сульфоселенидов цинка до и после высокотемпературной газостатической обработки.
Исследован процесс механического полирования халькогенидов цинка с использованием полировальных и наклеечных смол на основе канифоли, имеющих различные характеристики. Изучено влияние температуры размягчения полировальной смолы на скорость съема и оптические характеристики поверхности CVD-селенида и сульфида цинка.
Представлены развернутые эксплутационные и спектральные характеристики новых пленкообразующих материалов дититаната гадолиния (Gd2Ti2O7) и лютеция (Lu2Ti2O7). Проведены технологические сравнения с традиционным материалом TiO2 и сделаны выводы о преимуществах применения новых композиционных материалов (КМ) для нанесения просветляющих ахроматических покрытий в опытно-серийном производстве оптических деталей современного приборостроения.
Для повышения процента выхода годных фоточувствительных элементов из исходных монокристаллических пластин КРТ и InSb предложено производить переклейку монокристалла с промежуточной технологической подложки на стационарную несущую подложку. Был создан специальный термопластичный анаэробный клей типа “Циакрин”, поглощающий короткоимпульсное СО2-лазерное излучение.
Рассмотрена возможность применения фотоприемников на основе фоторезисторов из PbS и PbSe для регистрации импульсного излучения длительностью до 10 нс. Получены выражения для порогового потока таких фотоприемников. Проведены оценки порогового потока для типичных значений фотоэлектрических характеристик и различной длительности световых импульсов. Рассчитаны частотные характеристики квазиоптимальных фильтров, максимизирующие отношение сигнал—шум.
Рассмотрены различные варианты построения КМОП-мультиплексоров, предназначенных для усиления и коммутации сигналов с многоэлементных фоторезисторов (ФР) на основе PbS и PbSe. Приведены схемотехнические особенности мультиплексоров.
Исследованы активная и реактивная составляющие вольт-фарадной характеристики (ВФХ) МДП-структуры на основе МЛЭ HgCdTe. Показано, что граница раздела HgCdTe— SiO2 содержит плотность состояний (2—4)·1011 см-2 и не зависит от типа проводимости и наличия варизонного слоя. Обнаружено, что в n-HgCdTe время жизни определяется поверхностной рекомбинацией и составляет 0,6 мкс для неваризонного образца и 1,6 мкс — для варизонного.
Представлены результаты исследования зонной чувствительности работающих в режиме счета фотонов лавинных фотоприемников с большой фоточувствительной площадкой. Показано, что квантовая эффективность регистрации зависит от области засветки фоточувствительной поверхности фотоприемника.
Приведены результаты исследований теплопритоков и фотоэлектрических параметров высокочувствительных вакуумных фоторезисторов из CdHgTe на спектральный диапазон 8—12 мкм в течение длительного срока хранения при нормальных климатических условиях. Рассмотрено влияние некоторых конструктивных элементов фотоприемников на стабильность теплопритоков во времени.
С помощью ионно-лучевой технологии проводят очистку поверхности перед нанесением покрытий, осуществляют травление интегральных микросхем и мозаичных структур с субмикронным разрешением, обрабатывают со сверхвысокой точностью оптические поверхности, наносят многослойные высококачественные покрытия, формируют рельеф опор газовых подшипников, получают сверхострые режущие кромки металлического и керамического медицинского инструмента и т. д. Для реализации этих процессов были разработаны и изготовлены различные типы ионных источников (Кауфмана, источники с “холодным” катодом, высокочастотные источники) и системы электропитания к ним.
Для эпитаксиальных структур CdHgTe (КРТ) с варизонным слоем разработана технология получения пассивирующего покрытия “диоксид кремния—нитрид кремния” с использованием плазмохимических процессов. Проведено комплексное физико-химическое и электрофизическое исследование диэлектриков. Определены оптимальные технологические условия синтеза двухслойного диэлектрика. Для определения основных параметров МДП-структур использованы измерения высоко- и низкочастотных вольт-фарадных характеристик (ВФХ). Определены значения напряжений плоских зон, плотности фиксированного заряда. Показано, что для структур CdHgTe/SiO2/Si3N4 типичен малый отрицательный заряд, плотность которого не превышает 2⋅10-5 Кл/м2. Тангенс угла диэлектрических потерь составляет 1⋅10-2 на частоте 500 кГц. Плотность токов утечки при температуре 80 К не превышает 1⋅10-9 А/см2 при 5⋅105 В/см.
Проведены исследования тепловых нагрузок, возникающих в процессах ионно-плазменных процессов напыления и травления. Разработаны и оптимизированы режимы ионноплазменных процессов напыления, очистки от следов органических загрязнений и окислов для технологии матриц фотодиодов из структур кадмий—ртуть—теллур (КРТ), в которых температура пластин не превышает 70 С. Представлены результаты формирования ионно-плазменным травлением матриц индиевых столбчатых микроконтактов.
Приведены описание устройства и результаты первых экспериментов по высокоскоростному соударению металлических фольг, разогнанных давлением магнитного поля, в целях изучения динамики их движения и разрушения, а также определения размеров продуктов “взрыва” фольг. Две металлические фольги ускорялись импульсным магнитным полем до относительной скорости ∼1—2 км/c. При столкновении фольг приобретенная ими кинетическая энергия примерно за время распространения звука по фольге переходит в тепловую энергию. Показано, что при относительной скорости столкновения ≈ 1—1,5 км/с фольги “взрываются”. Размер частиц продуктов взрыва имеет диапазон 5—100 нм.
Модуляция информационного сигнала стохастическим расширяющим сигналом позволяет создавать широкополосные сигналы и тем самым повышать пропускную способность и помехозащищенность систем передачи информации. Параметрическая модуляция сигнала в усилителе дает возможность сохранять высокую энтропию случайных сигналов при работе передатчиков на максимальных мощностях. В лампе бегущей волны (ЛБВ) с плазменным заполнением пролетного канала замедляющей структуры может быть осуществлена параметрическая модуляция СВЧ-сигнала. В этом случае источником модуляции являются стохастические колебания электронного тока в приборе, имеющие плазменную природу.
В широкой области температур проведено исследование теплопроводности æ селенида (халькогенида) меди Cu2-xSe стационарным методом, электропроводности а и коэффициента термоЭДС, а — компенсационным методом. Изучены отдельные механизмы переноса тепла. Показано, что основной вклад в перенос вносят решеточная ælat и электронная теплопроводности æel. Определены значения ælat и число Лоренца. Проанализирована зависимость ælat от состава селенида меди.
Рассмотрены критерии отбора кристаллического германия с минимальным коэффициентом поглощения, используемого в качестве оптической среды для инфракрасной (ИК) области спектра. Показано, что для определения максимальной прозрачности образцов по электрофизическим параметрам кроме удельного сопротивления необходимо знать подвижность носителей заряда материала. Результаты расчетов сравниваются с экспериментальными данными, полученными на реальных образцах кристаллов германия.
Рассмотрены термоэлектрические явления в полупроводниковых диодных структурах при протекании тока в пропускном направлении при высоких уровнях инжекции. Показано, что в диодах с малой толщиной базовой области основная рекомбинация происходит на контакте с металлом.
Классические демонстрации “сил поверхностного натяжения” с использованием мыльных пленок допускают альтернативную трактовку, не связанную с силами на поверхности. Наблюдаемые эффекты можно исчерпывающим образом объяснить объемными напряжениями в объектах, которые относятся к классу пленок, мембран и оболочек. Опыт по косвенному определению давления Лапласа под искривленной поверхностью жидкости не только не подтверждает формулу Лапласа, но и приводит к прямо противоположному результату: на искривленной поверхности жидкости могут иметь место напряжения сжатия.
Работа посвящена аналитическому решению задачи о самораспылении тонких однородных пленок. Используя принципы инвариантного погружения, получены интегральные уравнения, описывающие поток распыленных атомов. Найдены приближенные решения интегрального уравнения для функций, раскрывающих спектры атомов, вылетающих с поверхностей пленок в случае самораспыления.
Сонолюминесценция (СЛ), обоснованность поиска которой следовала из уравнений Релея, после экспериментов Френцеля и Шультеса до сих пор — эффект сложный и отчасти не лишенный таинственности. В определенных условиях проведения эксперимента был обнаружен коротковолновый рентгеновский участок СЛ. На основе этих экспериментов в 1973 г. была предложена термоядерная модель СЛ, а в 1990 г. при кавитации тяжелой воды на дейтерированных титановых зародышах наблюдался выход нейтронов.
Дано объяснение природы векторного обмена и приведено аналитическое выражение для оператора такого обмена. Это дает возможность оценить из экспериментальных спектров электронного параметрического резонанса (ЭПР) величину и направление константы векторного обмена.
Статистика статьи
Статистика просмотров за 2026 год.
Издательство
- Издательство
- АО "НПО "ОРИОН"
- Регион
- Россия, Москва
- Почтовый адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- Юр. адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- ФИО
- Старцев Вадим Валерьевич (ГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР)
- E-mail адрес
- orion@orion-ir.ru
- Контактный телефон
- +7 (499) 3749400