Исследованы активная и реактивная составляющие вольт-фарадной характеристики (ВФХ) МДП-структуры на основе МЛЭ HgCdTe. Показано, что граница раздела HgCdTe— SiO2 содержит плотность состояний (2—4)·1011 см-2 и не зависит от типа проводимости и наличия варизонного слоя. Обнаружено, что в n-HgCdTe время жизни определяется поверхностной рекомбинацией и составляет 0,6 мкс для неваризонного образца и 1,6 мкс — для варизонного.
Сайт https://sci.ru (далее – сайт) работает по принципу агрегатора – собирает и структурирует информацию из публичных источников в сети Интернет, то есть передает полнотекстовую информацию о товарных знаках в том виде, в котором она содержится в открытом доступе.
Сайт и администрация сайта не используют отображаемые на сайте товарные знаки в коммерческих и рекламных целях, не декларируют своего участия в процессе их государственной регистрации, не заявляют о своих исключительных правах на товарные знаки, а также не гарантируют точность, полноту и достоверность информации.
Все права на товарные знаки принадлежат их законным владельцам!
Сайт носит исключительно информационный характер, и предоставляемые им сведения являются открытыми публичными данными.
Администрация сайта не несет ответственность за какие бы то ни было убытки, возникающие в результате доступа и использования сайта.
Спасибо, понятно.