Архив статей

Исследование вольт-фарадных характеристик МДП-структур на основе МЛЭ CdHgTe n- и р-типа (2007)
Выпуск: №5 (2007)

Исследованы активная и реактивная составляющие вольт-фарадной характеристики (ВФХ) МДП-структуры на основе МЛЭ HgCdTe. Показано, что граница раздела HgCdTe— SiO2 содержит плотность состояний (2—4)·1011 см-2 и не зависит от типа проводимости и наличия варизонного слоя. Обнаружено, что в n-HgCdTe время жизни определяется поверхностной рекомбинацией и составляет 0,6 мкс для неваризонного образца и 1,6 мкс — для варизонного.