В широкой области температур проведено исследование теплопроводности æ селенида (халькогенида) меди Cu2-xSe стационарным методом, электропроводности а и коэффициента термоЭДС, а — компенсационным методом. Изучены отдельные механизмы переноса тепла. Показано, что основной вклад в перенос вносят решеточная ælat и электронная теплопроводности æel. Определены значения ælat и число Лоренца. Проанализирована зависимость ælat от состава селенида меди.
Проведено исследование трехслойного термоэлектрического преобразователя (ТЭП) из сплавов SiGe. Рассмотрена математическая модель ТЭП, которая дает возможность учитывать влияние теплообмена на тепловыделяющие и теплопоглощающие спаи ветви термоэлемента. Получено распределение температуры в поперечном сечении ТЭП. Определены распределения температур для термоэлектрического материала Т3(y) и коммутационных пластин Т1(y), Т2(y).