Публикации автора

Oпределено время жизни основных и неосновных носителей заряда в пленках МЛЭ CdHgTe p-типа при низких температурах. Обнаружено, что фотопроводимость в магнитном поле в геометрии Фарадея (Е ┴ ВI I k) имеет независящую от магнитного поля составляющую, обусловленную вкладом неравновесных основных носителей (дырок). Этот вклад может составлять до 20 % от амплитуды стационарной фотопроводимости, что приводит к завышению определяемого данным методом значения времени жизни электронов.

Исследованы активная и реактивная составляющие вольт-фарадной характеристики (ВФХ) МДП-структуры на основе МЛЭ HgCdTe. Показано, что граница раздела HgCdTe— SiO2 содержит плотность состояний (2—4)·1011 см-2 и не зависит от типа проводимости и наличия варизонного слоя. Обнаружено, что в n-HgCdTe время жизни определяется поверхностной рекомбинацией и составляет 0,6 мкс для неваризонного образца и 1,6 мкс — для варизонного.

Предложен метод выравнивания температурно-индуцированной неоднородности сигналов матричных микроболометрических приемников (ММБП) инфракрасного (ИК)-излучения, основанный на использовании вариаций измерительных и предварительно прогревающих импульсов смещения, применяемых как к чувствительным, так и к компенсирующим болометрам. Проведенное численное моделирование в сравнении с применяемым в настоящее время методом демонстрирует четырехкратное увеличение интервала температур, в котором указанная неоднородность сигнала незначительна.

Разработана технология изготовления неохлаждаемых микроболометрических фотоприемных устройств формата 320x240, чувствительных в спектральном диапазоне 8—14 мкм и состоящих из матричного микроболометрического приемника мостикового типа, термоэлектрического стабилизатора температуры и малогабаритного вакуумного корпуса, снабженного просветленным германиевым окном и газопоглотителем. Достигнута разность температур, эквивалентная шуму, менее 100 мК при угле зрения 60° и частоте кадров 50 Гц.