Научный архив: статьи

Oпределено время жизни основных и неосновных носителей заряда в пленках МЛЭ CdHgTe p-типа при низких температурах. Обнаружено, что фотопроводимость в магнитном поле в геометрии Фарадея (Е ┴ ВI I k) имеет независящую от магнитного поля составляющую, обусловленную вкладом неравновесных основных носителей (дырок). Этот вклад может составлять до 20 % от амплитуды стационарной фотопроводимости, что приводит к завышению определяемого данным методом значения времени жизни электронов.