Статья: Характеристики МДП-структур с диэлектрическими слоями Al2O3/SiOx, выращенными на эпитаксиальном слое HgCdTe (2026)

Читать онлайн

Выращивание тонких диэлектрических плёнок Al2O3 методом атомно-слоевого осаждения на поверхности теллурида кадмия-ртути – перспективный метод пассивации поверхности полупроводника для создания матричных ИК-фотоприемников. Исследование направлено на поиск методов уменьшения плотности интерфейсных состояний встроенного в диэлектрик заряда, а также концентрации медленных ловушек в выращенных слоях для нескольких вариаций диэлектрических слоёв, включающих Al2O3 и SiOx. Показано, что при осаждении дополнительного слоя SiOx поверх Al2O3 удаётся добиться снижения плотностей эффективного накопленного заряда в диэлектрике и на интерфейсных состояниях, а также заряда, обусловленного медленными ловушками, до значений 4,61011 см–2 и –5,31010 см–2, соответственно. Прогнозируется возможность устранения эффекта гистерезиса вольт-фарадных характеристик МДП-структур Ni/SiOx/Al2O3/HgCdTe при определённом соотношении толщин SiOx/Al2O3.

Atomic layer deposition of thin dielectric films on the surface of mercury cadmium telluride (HgCdTe) draws significant attention being promising passivation technique for infrared FPA detectors fabrication. This study is aimed to investigate methods of lowering interface states densities, built-in charge in the dielectric, and presence of slow traps in the grown layers for three variations of dielectrics, including Al₂O₃ and SiOₓ. It was shown that deposition of an additional SiOₓ layer on top of Al₂O₃ leads to the reduction of effective accumulated charge density, as well as the charge density associated with slow traps, to values of 4.61011 cm–² and −5.31010 cm–², respectively. The possibility of eliminating the hysteresis effect in the capacitance–voltage characteristics of MIS structures at a certain SiOₓ/Al₂O₃ thickness ratio is predicted.

Ключевые фразы: HgCdTe, al2o3, атомно-слоевое осаждение, пассивация поверхности, МДП-структура, вольт-фарадные характеристики
Автор (ы): Романов А.А. (Romanov A.A.), Болтарь Константин Олегович, Трухачев Антон Владимирович, Поляков Александр Яковлевич
Журнал: ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
621.315.592. Полупроводники
Для цитирования:
РОМАНОВ А.А., БОЛТАРЬ К., ТРУХАЧЕВ А. В., ПОЛЯКОВ А. Я. ХАРАКТЕРИСТИКИ МДП-СТРУКТУР С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИМИ СЛОЯМИ AL2O3/SIOX, ВЫРАЩЕННЫМИ НА ЭПИТАКСИАЛЬНОМ СЛОЕ HGCDTE // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 2026. №5
Текстовый фрагмент статьи
Будьте первым, кто начнет обсуждение

Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.