Статья: Исследование профиля состава и электрофизических параметров гетероструктур CdxHg1–xTe/Cd0,96Zn0,04Te (2026)

Читать онлайн

Исследованы профиль элементного состава и электрофизические параметры гетеро-структур CdxHg1–xTe/Cd0,96Zn0,04Te. В качестве летучих прекурсоров использовали высокочистые диметилкадмий, диэтилтеллур, диизопропилтеллур и металлическую ртуть. В подобранных условиях получены слои CdxHg1–xTe с х = 0,26–0,32 и толщиной 3–8 мкм. Концентрация и подвижность носителей заряда в слоях при температуре 77 K составляла (5–400)×1015 см-3 и 150–400 см2/(В⋅с), соответственно. Исследования методом вторично-ионной массспектрометрии подтвердили наличие в слоях областей с повышенным содержанием лития. Примесь лития является акцептором в CdxHg1–xTe и может определять его тип проводимости и холловскую концентрацию носителей заряда. Наиболее вероятным источником лития в слоях является подложка Cd0,96Zn0,04Te.

The results of the study of the composition profile and electrophysical parameters of CdxHg1–xTe/Cd0.96Zn0.04Te heterostructures are presented. High-purity dimethylcadmium, diethyltellurium, diisopropyltellurium and metallic mercury were used as volatile precursors. CdxHg1–xTe layers with x = 0.26–0.32 and a thickness of 3–8 microns under selected growth conditions were obtained. The concentration and mobility of charge carriers in the layers was p = (5–400)×1015 cm–3 and 150–400 cm2/(V⋅s) at 77 K, respectively. SIMS studies confirmed the presence of regions with elevated lithium content in the CdxHg1–xTe layer. Lithium impurity acts as an acceptor in CdxHg1–xTe and can determine the conductivity type and the Hall concentration of charge carriers. The Cd0.96Zn0.04Te substrate is the most likely source of lithium in the layers.

Ключевые фразы: cdxhg1–xte, КРТ, mocvd, подложки cd0, геология, точные науки, холловские концентрация и подвижность носителей заряда в cdxhg1–xte, вимс, примесь лития, неоднородное распределение примеси
Автор (ы): Чилясов Алексей Викторович (CHilyasov A. V.), Моисеев Александр Николаевич, Евстигнеев Владимир Сергеевич, Дроздов М. Н., Денисов Игорь Андреевич, Трофимов Александр Александрович
Журнал: ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
546.24. Теллур
546.47. Цинк
Для цитирования:
ЧИЛЯСОВ А. В., МОИСЕЕВ А. Н., ЕВСТИГНЕЕВ В. С., ДРОЗДОВ М. Н., ДЕНИСОВ И. А., ТРОФИМОВ А. А. ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОФИЛЯ СОСТАВА И ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ГЕТЕРОСТРУКТУР CDXHG1–XTE/CD0,96ZN0,04TE // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 2026. №5
Текстовый фрагмент статьи
Будьте первым, кто начнет обсуждение

Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.