Во время отжигов, проводимых при изготовлении приборов с зарядовой связью (ПЗС), в объеме кремниевых пластин продолжается образование микродефектов. Предварительно созданная свободная зона остается бездефектной. Оказалось, что после первого длительного отжига в пластинах, прошедших полный цикл создания внутреннего геттера, эффективный геттер успевает образоваться уже при содержании кислорода больше, чем 6,5·1017 см-3, а в пластинах, прошедших только отжиг при 1150 °С, — больше чем 7,4·107 см-3. Это позволяет либо расширить диапазон начальных концентраций кислорода, либо проводить только отжиг при 1150 °C.
The micro-defects formation in bulk of silicon wafers proceeds during CCD manufacturing annealings. The previously created denuded zone remains defectless. The effective internal getter has formed after the first long annealing in wafers, which previously was pasted complete cycle of internal getter formation, already at the oxygen content more than 6.5 • 1017 cm-3, and in wafers, was pasted only 1150 °C anneal, — more than 7.4• 1017 cm -3. This allows or to expand range of initial oxygen concentrations, or to do only anneal at 1150 °C.
Предпросмотр статьи
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.