Статья: Исследование свойств границ раздела HgCdTe/АОП и HgCdTe/SiO2—Si3N4 (2008)

Читать онлайн

Экспериментально исследованы свойства границ раздела HgCdTe с двухслойным диэлектриком SiO2 /Si3N4 и с анодным оксидом с помощью МДП-структур, созданных на основе гетероэпитаксиального HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Показано, что двухслойный диэлектрик SiO2 /Si3N4 хорошо подходит для пассивации поверхности матричных фотодиодов из-за возможностей управления зарядами в диэлектриках и на границе раздела.

The properties of boundaries between HgCdTe and double-layer insulator SiO2 /Si3N4 and also anodic oxide were experimental investigated used by MIS-structures in base of hetero-epitaxial MCT created by molecular-beam epitaxy. It is shown that double-layer insulator SiO2 /Si3N4 is convenient for passivation of surface of matrix photodiodes because of possibilities of control of charges in insulators and at boundary.

Ключевые фразы: фотоэлектроника, элементная база и технология, проводники
Автор (ы): Войцеховский Александр Васильевич (Voytsehovskiy A. V.), Несмелов Сергей Николаевич, Дзядух Станислав Михайлович, Варавин Василий Семенович, Дворецкий Сергей Алексеевич, Михайлов Н. Н., Сидоров Ю. Г., Васильев В. В., Захарьян Т. И., Машуков Юрий Петрович
Журнал: ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
621.315. Передача электрической энергии. Провода и кабели, используемые для передачи энергии и для связи. Проводники. Электроизоляционные материалы. Линейная арматура. Сооружение линий электропередачи
Для цитирования:
ВОЙЦЕХОВСКИЙ А. В., НЕСМЕЛОВ С. Н., ДЗЯДУХ С. М., ВАРАВИН В. С., ДВОРЕЦКИЙ С. А., МИХАЙЛОВ Н. Н., СИДОРОВ Ю. Г., ВАСИЛЬЕВ В. В., ЗАХАРЬЯН Т. И., МАШУКОВ Ю. П. ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ ГРАНИЦ РАЗДЕЛА HGCDTE/АОП И HGCDTE/SIO2—SI3N4 // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 2008. №4
Текстовый фрагмент статьи
Будьте первым, кто начнет обсуждение

Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.