Исследована релаксация электрических свойств легированных As и Sb эпитаксиальных слоев HgCdTe, подвергнутых ионному травлению (ИТ). Показано, что образованные при ИТ донорные комплексы, ответственные за конверсию типа проводимости материала из исходного p-типа в n-тип, являются нестабильными. Установлено, что процессом, ответственным за релаксацию, является распад донорных комплексов, начинающийся после окончания процесса ИТ и вызванный уменьшением концентрации атомов междоузельной ртути, образующихся при ИТ.
Results on the studies of the relaxation of electrical properties of As- and Sb-doped HgCdTe epitaxial layers, which were converted into n–type by ion milling (IM), are presented. It is demonstrated that donor complexes formed under IM, are not stable, and their concentration decreases upon storage even at the room temperature. It was found that the process responsible for the relaxation was disintegration of the complexes that started after the end of the IM and was caused by the decrease in concentration of interstitial mercury atoms, generated by IM.
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
Рассмотрена релаксация электрических параметров эпитаксиальных слоев HgCdTe: As и HgCdTe: Sb (111), конвертированных ионным травлением в n-тип проводимости. Показано, что образованные при ионном травлении донорные комплексы, ответственные за конверсию типа проводимости из исходного p-типа в n-тип, являются нестабильными. Концентрация таких комплексов в кристалле изменяется с течением времени при хранении образцов уже при комнатной температуре. Установлено, что этот процесс обусловлен распадом донорных комплексов, начинающимся после окончания процесса ИТ и вызванным уменьшением концентрации атомов междоузельной ртути, образующихся при ИТ.
Релаксация свойств слоев приводит к тому, что концентрация нескомпенсированных доноров в них оказывается на уровне ~ 1015 см-3. Процесс распада донорных центров может быть ускорен увеличением температуры отжига. Полученные результаты следует учитывать при разработке фотоприемников на основе HgCdTe, создаваемых на основе материала, легированного элементами V группы, с использованием метода ионного травления, а также при проведении исследований свойств конвертированных слоев.
Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.
Выпуск
Другие статьи выпуска
Представлены конструкции ряда устройств на основе анизотропных оптикотермоэлементов, используемых для регистрации излучения. Показана перспективность их использования в качестве безмодуляционных неселективных координатно-чувствительных линеек и приемников, предназначенных для определения координат лучистых потоков в широких спектральном и динамическом диапазонах.
Во время отжигов, проводимых при изготовлении приборов с зарядовой связью (ПЗС), в объеме кремниевых пластин продолжается образование микродефектов. Предварительно созданная свободная зона остается бездефектной. Оказалось, что после первого длительного отжига в пластинах, прошедших полный цикл создания внутреннего геттера, эффективный геттер успевает образоваться уже при содержании кислорода больше, чем 6,5·1017 см-3, а в пластинах, прошедших только отжиг при 1150 °С, — больше чем 7,4·107 см-3. Это позволяет либо расширить диапазон начальных концентраций кислорода, либо проводить только отжиг при 1150 °C.
Экспериментально исследованы свойства границ раздела HgCdTe с двухслойным диэлектриком SiO2 /Si3N4 и с анодным оксидом с помощью МДП-структур, созданных на основе гетероэпитаксиального HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Показано, что двухслойный диэлектрик SiO2 /Si3N4 хорошо подходит для пассивации поверхности матричных фотодиодов из-за возможностей управления зарядами в диэлектриках и на границе раздела.
Найдена эффективная ионно-оптическая система ионного источника с холодным катодом для формирования ионного пучка диаметром до 150 мм с неоднородностью плотности ионного тока не более 5 % и энергией ионов от 1 до 3 кВ. Такие параметры пучка позволяют проводить травление полупроводниковых материалов без радиационных повреждений и недопустимых тепловых нагрузок при плотности ионного тока до 1 мА/см2. Методом компьютерного моделирования определены параметры ионного пучка на выходе из разрядной ячейки, гарантирующие требуемую однородность плотности ионного тока при мультиплицировании разрядных ячеек, а также геометрические размеры электродов, обеспечивающие эти параметры.
Рассмотрены аберрации и предельное разрешение ахроматического масс-спектрометра с секторным однородным магнитным полем и с электростатической системой, состоящей из иммерсионной трехэлектродной призмы и трансаксиальной линзы.
Исследованы характеристики одно-, двух- и четырехступенчатых коллекторов для ламп бегущей волны (ЛБВ) с различными отношениями их размеров и длины замедленной волны; определены отличия результатов расчета при нестационарном и стационарном подходах и влияние остаточной группировки пучка. Рассмотрена динамика образования виртуального катода при торможении моноскоростного и модулированного электронных пучков.
Рассмотрены некоторые методологические особенности решения задач оптимизации интенсивных пучков заряженных частиц на примере модельной задачи о пушке Пирса. Исследованы поведение функции цели, ее чувствительность к изменению параметров, поэлектродный подход к оптимизации.
Приведены некоторые результаты (в основном полученные впервые) исследований плазменных диодов и пучковой плазмы. Работы проводились в Сухумском физико-техническом институте, в Физическом институте им. П. Н. Лебедева (ФИАН) и в Институте общей физики им. А. М. Прохорова (ИОФРАН). Обзор работ разбит на четыре части. В первой части рассмотрены работы по исследованию плазменных диодов, во второй части — работы по созданию генераторов импульсного напряжения, ускорителей электронов прямого действия и использованию релятивистских электронных пучков (РЭП) в прикладных целях.
Рассмотрены генераторы стационарной электронно-пучковой плазмы, основанные на выпуске в плотную среду концентрированных пучков сквозь газодинамические окна. Впервые представлена классификация подобных устройств как по методам снижения натекания газа из рабочего объема, где создается плазма, так и по реализуемым в них типам транспортировки пучков в управляемых магнитных полях. Дан анализ, позволяющий выбрать наиболее перспективные методы для создания малогабаритных генераторов.
Рассмотрена задача влияния на устойчивость магнитогидродинамического (МГД) тангенциального разрыва (ТР) факторов сжимаемости и магнитной вязкости плазмы. Моделированы различные состояния по сторонам разрыва намагниченной электропроводящей среды в приближении нулевой толщины ТР. Полученные результаты объясняют существующие противоречия и представляют интерес для исследователей, занимающихся проблемами динамики плазмы.
Предложен метод и приведена принципиальная оптическая схема системы для исследования рассеяния излучения в широких угловом и спектральном диапазонах. Реализованный в данной работе спектральный диапазон составил Δλ = 400—1900 нм, угловой — 90°. Данный метод, в зависимости от типа регистрирующего элемента и длины волны излучения позволяет регистрировать энергию рассеянного излучения, начиная со значения 8,4·10-13 Дж. Предложенный метод применен в экспериментах, по результатам которых построены угловые диаграммы рассеяния излучения.
Предложена оригинальная методика зондовых измерений. На ее основе измерены распределения параметров прианодной плазмы в микроплазменном источнике и предложена теоретическая модель. Показано резкое возрастание концентрации плазмы в прианодной области, подтверждающее предположение о механизме ступенчатой ионизации. Результаты расчета концентрации плазмы удовлетворительно согласуются с экспериментальными данными.
Определены и изучены цветовые характеристики многокомпонентных высокомолекулярных углеводородных систем (УВС). Исследования проведены в колориметрических системах XYZ и RGB. Установлены линейные зависимости между цветовыми характеристиками и различными физико-химическими свойствами исследуемых веществ. Выводы подтверждены статистической обработкой данных.
Дан обзор способов умягчения и снижения щелочности воды. Рассмотрен метод электродиализного обессоливания воды с использованием ионообменных мембран. Проведено математическое моделирование этой задачи. Воспроизведены численные расчеты модельных задач.
Разработана модель недавно открытого эффекта генерирования электрического сигнала в воде, нагреваемой лазерным излучением с интенсивностью ниже порога плазмообразования. Получено, что амплитуда электрического сигнала, обусловленного диффузионным разделением ионов H+ и OH–, в отсутствие взрывного вскипания воды не превышает 10 мВ. В случае возникновения взрывного вскипания и формирования паровой полости, в которой напряженность электрического поля в десятки раз больше, чем в окружающей жидкости, амплитуда электрического сигнала достигает сотен милливольт.
Пучок электронов с энергией до 400 кэВ, длительностью импульсов на полувысоте 1,5 нс облучает сердцевину кварцевого ступенчатого и градиентного волоконных световодов. Проведено измерение коэффициента потерь света в видимой области спектра путем просвечивания волокна ксеноновой лампой-вспышкой. Показано, что под воздействием ускоренных электронов волокно интенсивно люминесцирует. Доза в 0,01 Гр на длине световода 10 м возбуждает радиолюминесценцию волокна, что приводит регистратор к насыщению и потере полезной информации.
Рассчитана скорость декогеренции ансамблевых кубит в виде цепочек изотопа 29Si в кремниевом вычислительном кластере в зависимости от количества атомов n в них и степени когерентности M. Установлено, что скорость декогеренции выше скорости релаксации ядерной поляризации при наличии локального электронного центра, а ее величина снижается с ростом расстояния от кластера до центра. Показано, что скорость релаксации преобладает над скоростью декогеренции либо в отсутствие электронного центра, либо в случае n=10 и расстоянии до электронного центра 10 нм.
Рассмотрены ранее нерешенные задачи термодинамики: расчет теплоты фазовых переходов первого рода, численный анализ уравнения Клаузиуса—Клапейрона.
Издательство
- Издательство
- АО "НПО "ОРИОН"
- Регион
- Россия, Москва
- Почтовый адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- Юр. адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- ФИО
- Старцев Вадим Валерьевич (ГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР)
- E-mail адрес
- orion@orion-ir.ru
- Контактный телефон
- +7 (499) 3749400