Статья: Релаксация электрических свойств эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe: As(Sb), конвертированных в n-тип ионным травлением (2008)

Читать онлайн

Исследована релаксация электрических свойств легированных As и Sb эпитаксиальных слоев HgCdTe, подвергнутых ионному травлению (ИТ). Показано, что образованные при ИТ донорные комплексы, ответственные за конверсию типа проводимости материала из исходного p-типа в n-тип, являются нестабильными. Установлено, что процессом, ответственным за релаксацию, является распад донорных комплексов, начинающийся после окончания процесса ИТ и вызванный уменьшением концентрации атомов междоузельной ртути, образующихся при ИТ.

Results on the studies of the relaxation of electrical properties of As- and Sb-doped HgCdTe epitaxial layers, which were converted into n–type by ion milling (IM), are presented. It is demonstrated that donor complexes formed under IM, are not stable, and their concentration decreases upon storage even at the room temperature. It was found that the process responsible for the relaxation was disintegration of the complexes that started after the end of the IM and was caused by the decrease in concentration of interstitial mercury atoms, generated by IM.

Ключевые фразы: фотоэлектроника, элементная база и технология, полупроводники
Автор (ы): Ижнин Игорь Иванович (Izhnin I. I.), Богобоящий В. В., Власов А. П., Мынбаев К. Д., Поцяск М.
Журнал: ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
621.315.592. Полупроводники
Для цитирования:
ИЖНИН И. И., БОГОБОЯЩИЙ В. В., ВЛАСОВ А. П., МЫНБАЕВ К. Д., ПОЦЯСК М. РЕЛАКСАЦИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ CDXHG1-XTE: AS(SB), КОНВЕРТИРОВАННЫХ В N-ТИП ИОННЫМ ТРАВЛЕНИЕМ // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 2008. №4
Текстовый фрагмент статьи
Будьте первым, кто начнет обсуждение

Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.