Публикации автора

Выращивание тонких диэлектрических плёнок Al2O3 методом атомно-слоевого осаждения на поверхности теллурида кадмия-ртути – перспективный метод пассивации поверхности полупроводника для создания матричных ИК-фотоприемников. Исследование направлено на поиск методов уменьшения плотности интерфейсных состояний встроенного в диэлектрик заряда, а также концентрации медленных ловушек в выращенных слоях для нескольких вариаций диэлектрических слоёв, включающих Al2O3 и SiOx. Показано, что при осаждении дополнительного слоя SiOx поверх Al2O3 удаётся добиться снижения плотностей эффективного накопленного заряда в диэлектрике и на интерфейсных состояниях, а также заряда, обусловленного медленными ловушками, до значений 4,61011 см–2 и –5,31010 см–2, соответственно. Прогнозируется возможность устранения эффекта гистерезиса вольт-фарадных характеристик МДП-структур Ni/SiOx/Al2O3/HgCdTe при определённом соотношении толщин SiOx/Al2O3.

Работа посвящена описанию и анализу бизнес-процессов энергокомпании, а также проектированию с целью последующего внедрения автоматизированной информационной системы для учета показаний счетчиков электроэнергии АО «Сетевая компания Алтайкрайэнерго».

В статье рассмотрены вопросы создания и функционирования одного из интересных объектов гостиничного хозяйства нашего города- бывш. гостиница «Москва». Долгое время до демонтажа первоначального здания гостиницы в 2005 году, объект являлся одним из исторических символов ушедшей «советской» эпохи. После повторного восстановления здания гостиницы в 2013 году объект стал одним из фешенебельных коллективных средств размещения, некоторое время находился под управлением известного иностранного гостиничного оператора.