Научный архив: статьи

Выращивание тонких диэлектрических плёнок Al2O3 методом атомно-слоевого осаждения на поверхности теллурида кадмия-ртути – перспективный метод пассивации поверхности полупроводника для создания матричных ИК-фотоприемников. Исследование направлено на поиск методов уменьшения плотности интерфейсных состояний встроенного в диэлектрик заряда, а также концентрации медленных ловушек в выращенных слоях для нескольких вариаций диэлектрических слоёв, включающих Al2O3 и SiOx. Показано, что при осаждении дополнительного слоя SiOx поверх Al2O3 удаётся добиться снижения плотностей эффективного накопленного заряда в диэлектрике и на интерфейсных состояниях, а также заряда, обусловленного медленными ловушками, до значений 4,61011 см–2 и –5,31010 см–2, соответственно. Прогнозируется возможность устранения эффекта гистерезиса вольт-фарадных характеристик МДП-структур Ni/SiOx/Al2O3/HgCdTe при определённом соотношении толщин SiOx/Al2O3.