Температурная зависимость средней длины прыжка в структурах на основе InGaN/GaN (2008)
Исследованы зависимости среднего расстояния прыжка R = ƒ(U, T) носителей заряда от температуры и напряжения для гетероструктуры на основе InGaN/GaN. Предложено объяснение наблюдаемых особенностей. Установлено и объяснено наличие скачка в изменении зависимости R = ƒ(T).
Издание:
ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
Выпуск:
№1 (2008)
Гистерезис электрических характеристик светоизлучающих структур на основе InGaN/GaN после импульсного воздействия (2023)
Исследуется изменение электрических характеристик светодиодных структур на основе InGaN/GaN, вызванное протеканием тока большой величины в импульсном режиме. Обнаружено устойчивое переключение между высокопроводящим (резистивным) и низкопроводящим (диодным) состояниями, сопровождающееся сменой механизма токопереноса. В качестве основного механизма переключения рассматривается перемещение подвижных дефектов и образование проводящих нитей (каналов) в области пространственного заряда.
Издание:
ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
Выпуск:
№1 (2023)