Публикации автора

Исследованы спектры электролюминесценции структур на основе твердого раствора InGaN (λmax = 426 нм) в диапазоне напряжений 3,2—3,6 В. Определена зависимость коэффициента полезного действия исследуемой структуры от тока, на которой наблюдается максимум при 4 мА. Объяснены причины уменьшения коэффициента полезного действия и темпа роста ампер-яркостной характеристики с увеличением тока, подаваемого через образец.

Исследованы зависимости среднего расстояния прыжка R = ƒ(U, T) носителей заряда от температуры и напряжения для гетероструктуры на основе InGaN/GaN. Предложено объяснение наблюдаемых особенностей. Установлено и объяснено наличие скачка в изменении зависимости R = ƒ(T).

Исследуется изменение электрических характеристик светодиодных структур на основе InGaN/GaN, вызванное протеканием тока большой величины в импульсном режиме. Обнаружено устойчивое переключение между высокопроводящим (резистивным) и низкопроводящим (диодным) состояниями, сопровождающееся сменой механизма токопереноса. В качестве основного механизма переключения рассматривается перемещение подвижных дефектов и образование проводящих нитей (каналов) в области пространственного заряда.