Температурная зависимость средней длины прыжка в структурах на основе InGaN/GaN (2008)
Исследованы зависимости среднего расстояния прыжка R = ƒ(U, T) носителей заряда от температуры и напряжения для гетероструктуры на основе InGaN/GaN. Предложено объяснение наблюдаемых особенностей. Установлено и объяснено наличие скачка в изменении зависимости R = ƒ(T).
Издание:
ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
Выпуск:
№1 (2008)