Показано, что на основе ранее обнаруженного эффекта генерации в пучково‐плазменном разряде (ПРР) ионного потока от оси разряда может быть создан плазмохимический реактор для низкоэнергетичного травления полупроводниковых структур. Здесь показана возможность простого управления плотностью и энергией ионного потока путем изменения потенциала коллектора разряда. Реализованы средства компенсации заряда ионного потока, падающего на непроводящую поверхность, с помощью модуляции потенциала держателя подложки, а также путем модуляции потенциала плазмы.
Разработана физическая модель, позволяющая применять компьютерный код КАРАТ для моделирования квазистационарного состояния пучково‐плазменного разряда с регенерацией плазмы из нейтрального газа. Представлены результаты моделирования режимов с различными потенциалами на коллекторе разряда. Приведено сравнение результатов для ″изолированных“ и заземленных приемников ионов.