Публикации автора

Исследованы спектры электролюминесценции структур на основе твердого раствора InGaN (λmax = 426 нм) в диапазоне напряжений 3,2—3,6 В. Определена зависимость коэффициента полезного действия исследуемой структуры от тока, на которой наблюдается максимум при 4 мА. Объяснены причины уменьшения коэффициента полезного действия и темпа роста ампер-яркостной характеристики с увеличением тока, подаваемого через образец.

В белых светодиодах (фирма Foryard Optoelectronics) на основе p-n-гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с тонким активным слоем InGaN и верхним люминофорным покрытием (алюмоиттриевый гранат, активированный церием), полученных на подложке из Al2O3,, определены параметры центров рекомбинации по приведенной скорости рекомбинации Rred: энергии активации и коэффициенты захвата. Установлен диапазон изменения концентрации глубоких уровней Ndeep и вероятности туннелирования в интервале изменения напряжения 1—2 В.

Исследованы светодиоды InGaN/AlGaN/GaN на стандартной подложке SiC [KPT-1608 PBC (SMD)] с двумя квантовыми ямами и активным слоем InxGa1-xN (х = 0,2). Установлен механизм токопереноса по прямым вольт-амперным характеристикам — туннелирование с участием прыжковой проводимости. Определены параметры указанных механизмов и их зависимость от напряжения и температуры. Дано объяснение наблюдаемым особенностям, в частности, скачок длины прыжка при T = 320—324 К.

Исследованы зависимости среднего расстояния прыжка R = ƒ(U, T) носителей заряда от температуры и напряжения для гетероструктуры на основе InGaN/GaN. Предложено объяснение наблюдаемых особенностей. Установлено и объяснено наличие скачка в изменении зависимости R = ƒ(T).

Проведено исследование светодиодов InGaN/AlGaN/GaN на стандартной подложке SiC [KPT-1608 PBC (SMD)] с двумя квантовыми ямами и активным слоем InxGa1-xN c х = 0,21. Установлено влияние γ-облучения на концентрационный профиль мелкой примеси и концентрацию глубоких уровней. Определены величина компенсированной области и градиента концентрации. Выявлена возможность увеличения КПД светодиода и его яркости.