Температурная зависимость средней длины прыжка в структурах на основе InGaN/GaN (2008)
Исследованы зависимости среднего расстояния прыжка R = ƒ(U, T) носителей заряда от температуры и напряжения для гетероструктуры на основе InGaN/GaN. Предложено объяснение наблюдаемых особенностей. Установлено и объяснено наличие скачка в изменении зависимости R = ƒ(T).
Издание:
ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
Выпуск:
№1 (2008)
Влияние γ-облучения на электрофизические параметры светодиодов на основе InGaN/GaN (2011)
Проведено исследование светодиодов InGaN/AlGaN/GaN на стандартной подложке SiC [KPT-1608 PBC (SMD)] с двумя квантовыми ямами и активным слоем InxGa1-xN c х = 0,21. Установлено влияние γ-облучения на концентрационный профиль мелкой примеси и концентрацию глубоких уровней. Определены величина компенсированной области и градиента концентрации. Выявлена возможность увеличения КПД светодиода и его яркости.
Издание:
ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
Выпуск:
№1 (2011)