Публикации автора

Исследованы профиль элементного состава и электрофизические параметры гетеро-структур CdxHg1–xTe/Cd0,96Zn0,04Te. В качестве летучих прекурсоров использовали высокочистые диметилкадмий, диэтилтеллур, диизопропилтеллур и металлическую ртуть. В подобранных условиях получены слои CdxHg1–xTe с х = 0,26–0,32 и толщиной 3–8 мкм. Концентрация и подвижность носителей заряда в слоях при температуре 77 K составляла (5–400)×1015 см-3 и 150–400 см2/(В⋅с), соответственно. Исследования методом вторично-ионной массспектрометрии подтвердили наличие в слоях областей с повышенным содержанием лития. Примесь лития является акцептором в CdxHg1–xTe и может определять его тип проводимости и холловскую концентрацию носителей заряда. Наиболее вероятным источником лития в слоях является подложка Cd0,96Zn0,04Te.

Исследованы температурные зависимости фотоэлектрических параметров матриц фотодиодов инфракрасного диапазона 1–3 мкм на основе эпитаксиальной структуры КРТ состава x = 0,414, выращенной методом осаждения из металлоорганических соединений и ртути (MOC-эпитаксия). Показано, что высокие характеристики чувствительности фотодиодов КРТ при температурах охлаждения Т = 160–170 К позволяют применять фотоприемники на основе эпитаксиальных слоев КРТ, выращенных МОС-эпитаксией, в перспективной оптико-электронной аппаратуре.