Научный архив: статьи

Исследованы профиль элементного состава и электрофизические параметры гетеро-структур CdxHg1–xTe/Cd0,96Zn0,04Te. В качестве летучих прекурсоров использовали высокочистые диметилкадмий, диэтилтеллур, диизопропилтеллур и металлическую ртуть. В подобранных условиях получены слои CdxHg1–xTe с х = 0,26–0,32 и толщиной 3–8 мкм. Концентрация и подвижность носителей заряда в слоях при температуре 77 K составляла (5–400)×1015 см-3 и 150–400 см2/(В⋅с), соответственно. Исследования методом вторично-ионной массспектрометрии подтвердили наличие в слоях областей с повышенным содержанием лития. Примесь лития является акцептором в CdxHg1–xTe и может определять его тип проводимости и холловскую концентрацию носителей заряда. Наиболее вероятным источником лития в слоях является подложка Cd0,96Zn0,04Te.

Обсуждены перспективы применения полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками (КТ) в качестве нового материала для фотоприемников ИК-диапазона. Представлен обзор последних работ в этой области, рассмотрены основные направления исследований, связанных с улучшением параметров фотоприемников. Среди них: инженерия структур с КТ для подавления темнового тока путем включения дополнительных барьерных и туннельно-прозрачных слоев, использование техники роста “dot in well”, сверхрешетки на основе слоев КТ. Приведены результаты исследований продольной ИК-ФП в нелегированных структурах, фотопроводимости в диапазоне 1—2,7 мкм при комнатной температуре, вертикальной ФП в структурах с КТ и дополнительными барьерными слоями p+-GaAs. Показаны особенности продольной ИК-ФП в гетероструктурах с КТ, рассмотрены новые возможности применения фотоприемников на основе таких структур и приведены типичные характеристики чувствительности фотоприемников.