Электронно-зондовые методы наведенного тока и потенциального контраста в анализе отказов специализированных интегральных схем считывания и обработки сигналов матричных ИК-фотоприемников (2008)
Разработаны методики анализа на отказ и точной локализации дефектов интегральных схем с применением комбинаций методов наведенного тока и потенциального контраста в растровом электронном микроскопе. На основании экспериментальных данных выявлены основные виды дефектов, приводящих к отказам мультиплексоров. Рассмотрена возможность исправления дефектов с помощью технологии фокусированных ионных пучков.
Издание:
ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
Выпуск:
№2 (2008)
Полупроводниковые фоточувствительные структуры с фианитом как пассивирующим защитным покрытием (2009)
Приведены результаты первых исследований по созданию полупроводниковых фоточувствительных структур на фианите. Отработаны этапы технологии создания полупроводниковых фотоприемников с защитными пленками ZrO2 (аналогами фианита). На основе измерений пробных образцов показана перспективность использования пленок ZrO2 для полупроводниковых фотоприемников.
Издание:
ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
Выпуск:
№2 (2009)