Полупроводниковые фоточувствительные структуры с фианитом как пассивирующим защитным покрытием (2009)
Приведены результаты первых исследований по созданию полупроводниковых фоточувствительных структур на фианите. Отработаны этапы технологии создания полупроводниковых фотоприемников с защитными пленками ZrO2 (аналогами фианита). На основе измерений пробных образцов показана перспективность использования пленок ZrO2 для полупроводниковых фотоприемников.
Издание:
ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
Выпуск:
№2 (2009)
Перспективы использования фианита как материала микро- и фотоэлектроники для создания фотоприемников (2009)
Рассмотрены перспективы использования фианита в фотоэлектронике. Показано, что этот материал особенно актуален в технологии фотоприемников на основе Ge, InGaAs. Указаны основные направления использования фианита в качестве защитного и стабилизирующего слоев подложки для эпитаксиальных слоев InGaAs и как диэлектрик в структуре “полупроводник на диэлектрике”, где полупроводником является InGaAs.
Издание:
ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
Выпуск:
№2 (2009)