Научный архив: статьи

Методом посадки на оптический контакт созданы изотипные гетеропереходы n-InSe<РЗЭ>/n-CuInSe2 с процентным содержанием введенной примеси NREE = 0; 10-5; 10-4; 10-3; 10-2 и 10-1 ат.% редкоземельных элементов (РЗЭ) типа гадолиния, гольмия и диспрозия. Исследованы их фотоэлектрические свойства в режимах фотопроводимости, фотоЭДС и фотодиода при различных ориентациях падающего света относительно контактирующих

Проведены разработка и исследование радиационной стойкости фотодиодов на основе слоистых соединений GaSe, InSe, GaTe, предназначенных для видимой и ближней ИК-областей спектра и процесса диффузии различных примесей в слоистых полупроводниках. Показано, что в новой технологии изготовления фотодиодных структур исходные материалы GaSe, InSe, GaTe подвергались воздействию ионизирующего облучения при малых флюенсах, а потом на них производились процессы диффузии компенсирующих элементов с предварительным отжигом. Указанные изменения в технологии получения фоточувствительных элементов позволили получить фотодиодные структуры более пяти элементов. Определена радиационная стойкость исследуемых фотодиодов и выявлена возможность использования их в условиях повышенной радиации.

Приведены результаты исследования фотоэлектрических свойств пленок CdSe1-xTex, имеющих прикладное значение для ИК-техники.

Экспериментально исследованы зависимости основных параметров и характеристик собственной фотопроводимости от различных факторов в монокристаллах моноселенида индия (n-InSe). Показано, что полученные экспериментальные результаты могут удовлетворительно объясняться на основе частичной неупорядоченности кристаллов этого полупроводника и позволяют рекомендовать их в качестве подходящего материала для создания многофункциональных фотоприемников света — фоторезисторов со свойством фотоэлектрической памяти и накопления воздействия последовательных слабых световых сигналов.

Экспериментально изучены отрицательная фотопроводимость и инфракрасное гашение собственной фотопроводимости в чистых и легированных редкоземельными элементами монокристаллах моноселенида галлия (p-GaSe). Показано, что оба явления в этом полупроводнике обусловлены наличием в его запрещенной зоне двух типов рекомбинационных центров — быстрых и медленных, а их запоминающий характер связан с пространственной неоднородностью материала. Предполагается возможность создания на основе чистых и легированных кристаллов p-GaSe различного типа инфракрасных фоторезисторов.

Экспериментально исследовано влияние легирование редкоземельным элементом диспрозием Dy на фотопроводимость монокристаллов селенида галлия p-GaSe. Установлено, что при определенных содержаниях введенной примеси (N = 10-2÷10-1 ат. %) наблюдаются наиболее стабильные фотоэлектрические параметры и характеристики этого полупроводника. Полученные результаты объясняются на основе двухбарьерной энергетической модели пространственно-неоднородного полупроводника и показано, что монокристаллы p-GaSe<Dy> могут быть пригодными материалами для создания широкополосных фотоприемников света в ульрафиолетовом и видимом диапазонах оптического спектра.