Фотоэлектрические свойства изотипных гетеропереходов n-InSe<РЗЭ>/n-CuInSe2 в видимой и ближней ИК-областях (2007)
Методом посадки на оптический контакт созданы изотипные гетеропереходы n-InSe<РЗЭ>/n-CuInSe2 с процентным содержанием введенной примеси NREE = 0; 10-5; 10-4; 10-3; 10-2 и 10-1 ат.% редкоземельных элементов (РЗЭ) типа гадолиния, гольмия и диспрозия. Исследованы их фотоэлектрические свойства в режимах фотопроводимости, фотоЭДС и фотодиода при различных ориентациях падающего света относительно контактирующих
Издание:
ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
Выпуск:
№1 (2007)