Научный архив: статьи

Исследовалось влияние имитирующих факторов ядерного взрыва и протонного облучения на фотоэлектрические свойства фотодиодов на основе селенида индия. Установлено, что импульсное гамма-излучение и импульсное нейтронное облучение приводят к улучшению фотоэлектрических характеристик исследуемых фотодиодов. Показано, что большие флюенсы нейтронного облучения облегчают процесс образования комплексов в межслойном промежутке слоистого селенида индия, вследствие чего несколько ухудшаются фотоэлектрические параметры фотодиодов.

Проведены разработка и исследование радиационной стойкости фотодиодов на основе слоистых соединений GaSe, InSe, GaTe, предназначенных для видимой и ближней ИК-областей спектра и процесса диффузии различных примесей в слоистых полупроводниках. Показано, что в новой технологии изготовления фотодиодных структур исходные материалы GaSe, InSe, GaTe подвергались воздействию ионизирующего облучения при малых флюенсах, а потом на них производились процессы диффузии компенсирующих элементов с предварительным отжигом. Указанные изменения в технологии получения фоточувствительных элементов позволили получить фотодиодные структуры более пяти элементов. Определена радиационная стойкость исследуемых фотодиодов и выявлена возможность использования их в условиях повышенной радиации.

Исследовано образование и распределение радиационных дефектов, а также поведение подвижности в монокристаллических образцах селенида индия с концентрацией электронов 5⋅1014—1⋅1016 см-3 при облучении гамма-квантами (дозами 107 и 108 Р) и электронами с энергией 25 МэВ (потоком 1015 эл./см2 ).