Статья: Получение поликристаллического кремния из моносилана в электронно-пучковой плазме (2009)

Читать онлайн

Представлены результаты экспериментальных исследований по осаждению кремния солнечного качества из моносилана с использованием электронно-пучковой плазмы. На лабораторном оборудовании достигнуты скорости осаждения кремния на уровне 40 г/ч при энергозатратах на процесс 78 (кВт⋅ч)/кг со степенью превращения моносилана около 50 %. Анализ химического состава показал, что полученный материал по уровню концентраций примесей соответствует кремнию солнечного качества. Предложенный метод является перспективным для промышленной реализации.

In this work, results of conversion monosilane to solar-grade polycrystalline silicon in electronbeam plasma are presented. By use of laboratory scale equipment, deposition rates about 40 g/h at power inputs of 75 (kW⋅h)/kg and conversion efficiency nearly 50 percent have been achieved. Chemical composition analysis revealed that impurity concentration of deposited material meets the requirements for solar-grade silicon. The proposed method of deposition is perspective for application in industrial scale.

Ключевые фразы: кремний солнечного качества, ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ, осаждение кремния
Автор (ы): Константинов В. О. (Konstantinov V. O.), Щукин В. Г., Шарафутдинов Р. Г., Карстен В. М., Гартвич Г. Г., Семенова О. И.
Журнал: ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
537.533.9. Действие пучков электронов
661.681. Кремний
Для цитирования:
КОНСТАНТИНОВ В. О., ЩУКИН В. Г., ШАРАФУТДИНОВ Р. Г., КАРСТЕН В. М., ГАРТВИЧ Г. Г., СЕМЕНОВА О. И. ПОЛУЧЕНИЕ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ ИЗ МОНОСИЛАНА В ЭЛЕКТРОННО-ПУЧКОВОЙ ПЛАЗМЕ // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 2009. №4
Текстовый фрагмент статьи
Моя история просмотров (10)
Будьте первым, кто начнет обсуждение

Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.