Статья: Модели процесса возникновения 1/ƒ-шума в полупроводниковых структурах (2009)

Читать онлайн

Рассмотрены модели возникновения 1/ƒ-шума в полупроводниковых структурах как результаты барьерного эффекта и пуассоновского процесса. Дано объяснение наличию пределов значения степени у в эмпирической формуле 1/ƒy.

Models of 1/ƒ-noise origin are described. As result of barrier effect and as result of Poisson’s process. The presence of limits in value of y power in the empirical formula 1/ƒy is described.

Ключевые фразы: полупроводники, электроника, полупроводниковая электроника
Автор (ы): Холкин В. Ю. (Holkin V. YU.)
Журнал: ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
621.382. Электронные элементы, использующие свойства твердого тела. Полупроводниковая электроника
Для цитирования:
ХОЛКИН В. Ю. МОДЕЛИ ПРОЦЕССА ВОЗНИКНОВЕНИЯ 1/Ƒ-ШУМА В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 2009. №4
Текстовый фрагмент статьи
Будьте первым, кто начнет обсуждение

Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.