Статья: Исследование МДП-структур на основе МЛЭ CdхHg1-хTe с анодным окислом (2010)

Читать онлайн

Исследованы четыре образца молекулярно‐лучевой эпитаксии (МЛЭ) CdxHg1-xTe, имеющих одинаковый состав х = 0,22, но различные концентрации электронов, причем часть из них имела на поверхности широкозонный варизонный слой. Диэлектриком в МДП‐струк-турах служил анодный окисел. Для коррекции экспериментально измеренных вольт-фарадных характеристик (ВФХ) в целях исключения влияния базового сопротивления предложена соответствующая процедура. Для одного из образцов определено генерационное сопротивление области пространственного заряда МДП‐структуры, находящейся в режиме сильной инверсии.

It is investigated 4 MBE CdxHg1-xTe patterns, having the same composition x = 0.22, but different concentrations of electrons, by that, a part of the patterns had a wide gap graded surface layer. In capacity of a dielectric in the MIS structures the anodic oxide is served. For correction of the experimental measured capacitance-voltage characteristics, with the purpose of the exclusion of the base resistance influence, the suitable procedure is proposed. For one of the patterns the generation resistance of the space charge region of the MIS structure, being in the strong inversion state, is determined.

Ключевые фразы: ИССЛЕДОВАНИЕ, образец, широкозонный слой, МДП-структура
Автор (ы): Васильев Владимир Васильевич (Vasilev V. V.), Машуков Юрий Петрович
Журнал: ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
537.311.33. в вакууме
Для цитирования:
ВАСИЛЬЕВ В. В., МАШУКОВ Ю. П. ИССЛЕДОВАНИЕ МДП-СТРУКТУР НА ОСНОВЕ МЛЭ CDХHG1-ХTE С АНОДНЫМ ОКИСЛОМ // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 2010. №4
Текстовый фрагмент статьи
Моя история просмотров (10)
Будьте первым, кто начнет обсуждение

Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.