ISSN 2307-4469 · EISSN 2949-5636

· Языки: ru / en

Статья: Влияние кислорода и йода на оптические характеристики поликристаллических фоточувствительных элементов на основе сульфида свинца (2026)

Читать

Статья Литература Выпуск Статистика Издательство

Читать онлайн

Представлен анализ оптических свойств поликристаллических фоточувствительных пленок на основе сульфида свинца (PbS), полученных химическим методом осаждения в присутствии прекурсоров: окислителя – дихромата калия (K2Cr2O7) в молярном содержании от 10–5 моль/л до 10–4 моль/л и йодида аммония (NH4I) в содержании 0,2 моль/л. Методами атомно-силовой и сканирующей электронной микроскопии установлено, что образцы, полученные в присутствии прекурсора K2Cr2O7, обладают типичной морфологией для соединения PbS. При добавлении в реакционную ванну NH4I наблюдается сглаживание морфологии поверхности и уменьшение среднего размера кристаллитов, что приводит к увеличению коэффициента отражения, а также к увеличению ширины запрещенной зоны до 0,44–0,47 эВ по сравнению с образцами, осажденными из реакционной ванны с окислителем, для которых Eg составляет 0,37–0,41 эВ

An analysis of the optical properties of polycrystalline photosensitive films based on lead sul-fide (PbS) and obtained by chemical deposition in the presence of precursors is presented. The following were used as precursors: the oxidant – potassium dichromate (K2Cr2O7) in molar contents from 10–5 mol/l to 10–4 mol/l and ammonium iodide (NH4I) in contents of 0.2 mol/l. It was established that the samples obtained in the presence of the K2Cr2O7 precursor have a typical morphology for polycrystalline PbS. When NH4I is added to the reaction bath, a smoothing of the surface morphology and a decrease in the average crystallite size are observed, which leads to an increase in the reflection coefficient. In this case, an increase in the band gap width to 0.44–0.47 eV is also observed compared to samples deposited from a reaction bath with an oxidizer, for which Eg is 0.37–0.41 eV.

Ключевые фразы: сульфид свинца, химический метод осаждения, фоточувствительные элементы, оптические характеристики, морфология поверхности

Автор (ы): Макарук Кристина Сергеевна (Makaruk K. S.), Мирошникова Ирина Николаевна, Мирошников Борис Николаевич, Деомидов Александр Дмитриевич, Волкова Лилия Сергеевна, Едельбекова Полина Андреевна, Маскаева Лариса Николаевна

Журнал: УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI: Физика
УДК: 621.383.4. Фотоэлементы с внутренним фотоэффектом. Фоторезисторы
621.383.5. Фотоприемники с запирающим слоем

Для цитирования:

МАКАРУК К. С., МИРОШНИКОВА И. Н., МИРОШНИКОВ Б. Н., ДЕОМИДОВ А. Д., ВОЛКОВА Л. С., ЕДЕЛЬБЕКОВА П. А., МАСКАЕВА Л. Н. ВЛИЯНИЕ КИСЛОРОДА И ЙОДА НА ОПТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ НА ОСНОВЕ СУЛЬФИДА СВИНЦА // УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ. 2026. ТОМ 14, №3

Текстовый фрагмент статьи

Представлен анализ оптических свойств фоточувствительных структур на основе PbS, изготовленных химическим методом осаждения с добавлением в реакционную ванну прекурсоров NH4I и K2Cr2O7 совместно и раздельно в различных молярных концентрациях. Полученные данные дают новые сведения о формировании тонкопленочных структур и влиянии прекурсоров различной физико-химической природы на оптические свойства.

Установлено, что добавление в реакционную ванну NH4I приводит к изменению морфологии поверхности: уменьшению перепада высот и размера кристаллитов структуры (более 70 % поверхности составляют частицы размером 150–300 нм и около 3 % наночастиц размером менее 100 нм).

Было обнаружено, что изменение морфологии поверхности за счет введения в реакционную ванну прекурсоров также оказывает влияние на спектры коэффициента отражения в диапазоне энергий падающего потока излучения от 0,9 до 3,1 эВ. В области от 0,9 до 1,3 эВ наблюдается интерференция за счет влияния фотоэлектрических параметров исследуемых структур. При увеличении энергии (в диапазоне от 1,5 до 3,1 эВ) зависимости выравниваются, что позволяет оценить влияние морфологии. Так, наименьшие значения коэффициента отражения, которые варьируются в диапазонах от 0,6 % до 3,3 % и от 3,0 до 7,4 %, демонстрируют образцы, осажден-ные в присутствии окислителя (K2Cr2O7), а наибольшие для структур с K2Cr2O7 и NH4I (от 15,6 до 17,6 %). Полученные данные хорошо согласуются с расчетами параметров микрорельефов поверхности.

Анализ измерений спектральных зависимостей относительной чувствительности исследуемых групп образцов и типичных серийных фотосопротивлений (ФС-2 АН и ФС-3 АН) показали, что области чувствительности совпадают. Однако в образах, осажденных в присутствии NH4I, в диапазоне длин волн от 2,0 до 2,5 мкм наблюдается значительное увеличение рассматриваемого показателя (на 15 %) по сравнению с другими структурами, что является свидетельством сдвига максимума спектральной характеристики.

По зависимостям относительной спек-тральной чувствительности и спектрам поглощения (h)2 были определены энергии активации для всех образцов исследуемой группы. Оба метода демонстрируют практически одинаковые значения энергии активации: для образцов с прекурсором NH4I, введенным в раствор, граница фундаментального (собственного) поглощения несколько сдвинута в область больших энергий таким образом, что ширина запрещенной зоны составляет примерно 0,44–0,47 эВ по сравнению со структурами с K2Cr2O7, для которых Eg со-ставляет  0,37–0,41 эВ. Увеличение ширины запрещенной зоны для структур, осажденных из водных растворов в присутствии NH4I совместно или раздельно с окислителем, может быть обусловлено деформацией кристаллической решетки, возникающей за счет встраивания атомов кислорода и/или йода, то есть образованием большего количества кислородосодержащих фаз – например, таких, как: PbI2O2, Pb2O4 и других, а также уменьшением размера зерен, составляющих поверхность. Появление второй составляющей энергий активации (0,33–0,37 эВ) в спектрах поглощения может быть объяснено наличием непрямых переходов с участием фононов.

Приведенные результаты исследования расширяют представление о влиянии состава реакционной ванны на оптические свойства фоточувствительных поликристаллических структур на основе PbS.

Моя история просмотров (10)

01. Статья: Примечания Е. Ф. Корша к русскому переводу «Логических исследований» А. Тренделенбурга

02. Статья: Плазменный механизм развития начальных стадий пробоя газов высокого давления

03. Книга: Озеро Восток

04. Книга: Химия вкуса и запаха мясных продуктов

05. Статья: АКТУАЛИЗАЦИЯ И СИСТЕМАТИЗАЦИЯ ШКОЛЬНЫХ ЗНАНИЙ ПО МАТЕМАТИКЕ СТУДЕНТОВ МЛАДШИХ КУРСОВ ИНЖЕНЕРНЫХ НАПРАВЛЕНИЙ НА НАЧАЛЬНОМ ЭТАПЕ ИЗУЧЕНИЯ ДИСЦИПЛИН МАТЕМАТИЧЕСКОГО ЦИКЛА

06. Статья: НАДПИСИ К МИНИАТЮРАМ ПОКАЯННОГО КАНОНА И ИХ ИСТОЧНИКИ В ТЕКСТЕ ЛЕСТВИЦЫ ИОАННА СИНАЙСКОГО

07. Статья: АНАЛИЗ РЕАЛИЗАЦИИ СТРАТЕГИИ "ПОВОРОТ НА ВОСТОК": ВНУТРЕННИЕ И ВНЕШНИЕ ФАКТОРЫ

08. Книга: ОЧЕРКИ ИСТОРИИ ТУРИЗМА ХАБАРОВСКОГО КРАЯ

09. Книга: Эволюция подводных лодок в России и за рубежом

10. Статья: ИРАН 1979 ГОДА: КОМАНДИРОВКА В РЕВОЛЮЦИЮ

Будьте первым, кто начнет обсуждение

Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.

Создать тему для обсуждения

Список литературы

1. Sadovnikov S. I., Gusev A. I. / Journal of Alloys and Compounds. 2013. Vol. 573. P. 65-75. DOI: 10.1016/j.jallcom.2013.03.290
2. Pentia E., Draghici V., Sarau G., Mereu B., Pintilie L., Sava F., Popescu M. / Journal of The Electrochemical Society. 2004. Vol. 151. № 11. P. G729-G733. DOI: 10.1149/1.1800673
3. Ounissi A., Ouddai N., Achour S. / The European Physical Journal Applied Physics. 2007. Vol. 37. № 3. P. 241-245. DOI: 10.1051/epjap:2007034
4. Бурдаков И. Д., Заславский А. В., Кузнецов П. А., Климанов Е. А., Хромов С. С., Щукин С. В. / Прикладная физика. 2005. № 5. С. 95-98.
5. Бурлаков И. Д., Пономаренко В. П., Филачев А. М., Дегтярев Е. В. / Прикладная физика. 2007. № 2. С. 43-54.
6. Пономаренко В. П. Квантовая фотосенсорика. - М.: АО “НПО “Орион”, 2018. ISBN: 978-5-7164-0753-4
7. Altıokka B. Önal. / Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. 2023. Vol. 25. P. 42-48.
8. Mousa Ali M., Hassen Sima M., Mohmoed S. / International Letters of Chemistry, Physics and Astronomy. 2014. Vol. 34. P. 1-10. DOI: 10.56431/p-x3182s
9. Chattarki A. N., Kamble S. S., Deshmukh L. P. / Materials Letters. 2012. Vol. 67. № 1. P. 39-41. DOI: 10.1016/j.matlet.2011.08.10
10. Markov V. F., Maskaeva L. N., Kitaev G. A. / Inorganic Materials. 2000. Vol. 36. № 7. P. 657-659.
11. Suh Y., Suh S.-H. / SPIE Proceedings. 2016. Vol. 9974. P. 997405. DOI: 10.1117/12.2237284
12. Мараева Е. В., Мошников В. А., Таиров Ю. М. / Физика и техника полупроводников. 2013. Т. 47. № 10. С. 1431-1434.
13. Maraeva E. V., Maksimov A. I., Permyakov N. V., Moshnikov V. A. / Micromachines. 2022. Vol. 13. № 8. P. 1209. https: //. DOI: 10.3390/mi13081209
14. Quanjiang Lv, Rongfan Li, Liangchao Fan, Zhi Huang, Zhenyu Huan, Mingyang Yu, Haohua Li, Guiwu Liu, Guanjun Qiao, Junlin Liu / Sensors. 2023. Vol. 23. № 20. P. 8413. DOI: 10.3390/s23208413
15. Kul M. / Journal of Science and Technology B - Theoretical Sciences. 2019. Vol. 7. № 1. P. 46-58. DOI: 10.20290/aubtdb.465445
16. Sukhorukov Y. P., Mostovshchikova E. V., Pavlov T. N., Voronin V. I., Maskaeva L. N. / Thin Solid Films. 2026. Vol. 841. Р. 140934. DOI: 10.1016/j.tsf.2026.140934
17. Mohamed H. S. H., Abdel-Hafiez M., Miroshnikov B. N., Barinov A. D., Miroshnikova I. N. / Materials Science in Semiconductor Processing. 2014. Vol. 27. P. 725-732. DOI: 10.1016/j.mssp.2014.08.010
18. Miroshnikov B. N., Miroshnikova I. N., Popov A. I., Zinchenko M. Y. / Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics. 2015. Vol. 9. № 6. P. 783-786. DOI: 10.1166/jno.2014.1677
19. Akhmedov O. R., Guseinaliyev M. G., Abdullaev N. A., Abdullaev N. M., Babaev S. S., Kasumov N. A. / Semiconductors. 2016. Vol. 50. № 1. P. 50-53. DOI: 10.1134/s1063782616010036
20. Valenzuela-Jáuregui J. J., Ramı́rez-Bon R., Mendoza-Galván A., Sotelo-Lerma M. / Thin Solid Films. 2003. Vol. 441. № 1-2. P. 104-110. DOI: 10.1016/s0040-6090(03)00908-8
21. García-Valenzuela J. A., Baez-Gaxiola M. R., Sotelo-Lerma M. / Thin Solid Films. 2013. Vol. 534. P. 126-131. DOI: 10.1016/j.tsf.2013.02.035
22. Gassoumi Abdelaziz, Alleg Safia, Kamoun Najoua / Journal of Molecular Structure.2016. Vol. 1116. P. 67-71. DOI: 10.1016/j.molstruc.2016.03.007
23. Yucel E., Yücel Y. / Ceramics International. 2017. Vol. 43. № 1. P. 407-413.
24. Ahmed A. M., Rabia M., Shaban M. / RSC Advances. 2020. Vol. 10. № 24. P. 14458-14470. DOI: 10.1039/c9ra11042a
25. Маскаева Л. Н., Мостовщикова Е. В., Марков В. Ф., Воронин В. И. / Физика и техника полупроводников. 2019. Т. 53. Вып. 2. С. 206-211.
26. Blount G. H., Schreiber P. J., Smith D. K., Yamada R. T. / Journal of Applied Physics. 1973. Vol. 44. № 3. P. 978-981. DOI: 10.1063/1.1662381
27. Bai R., Kumar D., Chaudhary S., Pandya D. K. / Acta Materialia. 2017. Vol. 131. P. 11-21. DOI: 10.1016/j.actamat.2017.03.062
28. Markov V. F., Maskaeva L. N., Mostovshchikova E. V., Voronin V. I., Pozdin A. V., Beltseva A. V., Selyanin I. O., Baklanova I. V. / Physical Chemistry Chemical Physics. 2022. Vol. 24. № 26. P. 16085-16100. DOI: 10.1039/d2cp01815b
29. Seghaier S., Kamoun N., Brini R., Amara A. B. / Materials Chemistry and Physics. 2026. Vol. 97. № 1. P. 71-80. DOI: 10.1016/j.matchemphys.2005.07.061
30. Макарук К. С., Мирошников Б. Н., Баринов А. Д., Попов А. И., Мирошникова И. Н., Пацаев Т. Д., Васильев А. Л., Горячев А. В., Маскаева Л. Н. / Журнал технической физики. 2026. Т. 96. Вып. 3. С. 591-601.
31. Osherov A., Makai J. P., Balazs J., Horvath Z. J., Gutman N., Sa’ar A., Golan Y. / Journal of Physics: Condensed Matter. 2010. Vol. 22. № 26. P. 262002. DOI: 10.1088/0953-8984/22/26/262002
32. Садовников С. И., Кожевникова Н. С., Гусев А. И. / Физика и техника полупроводников. 2011. Т. 45. № 12. С. 1559-1570.
33. Мирошникова И. Н., Комиссаров А. Л., Васильева Н. Д., Мирошников Б. Н. / Вестник МЭИ. 2010. № 4. С. 57-62.
34. Маскаева Л. Н., Бельцева А. В., Ельцов О. С., Бакланова И. В., Михайлов И. А., Марков В. Ф. / Оптика и спектроскопия. 2023. Т. 131. № 10. С. 1380-1389.
35. Scanlon W. W. / Physical Review. 1958. Vol. 109. P. 47-50. DOI: 10.1103/physrev.109.47
36. Самофалова Т. В., Овечкина Н. М., Лукин А. Н., Семенов В. Н. / Вестник Казанского технологического университета. 2012. Т. 15. № 16. С. 68-70.
37. Морозова Н. К., Мирошников Б. Н. / Физика и техника полупроводников. 2018. Т. 53. Вып. 2. DOI: 10.21883/FTP.2018.03.45611.8493
38. Espevik S., Wu C., Bube R. H. / Journal of Applied Physics. 1971. Vol. 42. № 9. P. 3513-3529. DOI: 10.1063/1.1660763

Выпуск

Том 14, №3 (2026)

Кол-во страниц: 94 страницы

С О Д Е Р Ж А Н И Е

ФОТОЭЛЕКТРОНИКА

Преобразование излучения в фототок в однородных полупроводниках без приложения электрического напряжения Холоднов В. А. 189
Моделирование скорости поверхностной рекомбинации в структурах CdHgTe Яковлева Н. И., Трофимов А. А. 197
Напыление цезий-йод фотокатода заданной толщины на микроканальную пластину Комаров В. П., Федотова Г. В., Самканашвили Д. Г., Алкацева Т. Д. 204

ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ

Новые результаты исследований в области физики плазмы и плазменных технологий в России в 2025 году (по материалам 53 Международной Звенигородской конференции по физике плазмы и УТС, 16–20 марта 2026 г.) (Обзор) Гришина И. А., Иванов В. А. 209
Комплексное исследование безэлектродных СВЧ-эксиламп KrCl и XeBr для бактерицидного обеззараживания Будак В. П., Железнов И. И. 233
Критерий эффективности разделения элементов в процессе плазменной сепарации многокомпонентной смеси Гавриков А. В., Ойлер А. П., Смирнов В. П., Усманов Р. А. 248

ФИЗИЧЕСКОЕ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ

Влияние кислорода и йода на оптические характеристики поликристаллических фоточувствительных элементов на основе сульфида свинца Макарук К. С., Мирошникова И. Н., Мирошников Б. Н., Деомидов А. Д., Волкова Л. С., Едельбекова П. А., Маскаева Л. Н. 266

ИНФОРМАЦИЯ

Правила для авторов 278

C O N T E N T S

PHOTOELECTRONICS

Conversion of radiation into photocurrent in homogeneous semiconductors without applying electrical voltage Kholodnov V. A. 189
Surface recombination rate modeling for HgCdTe photosensitive structures Iakovleva N. I. and Trofimov A. A. 197
Deposition of a cesium iodide photocathode of specified thickness onto a microchannel plate Komarov V. P., Fedotova G. V., Samkanashvili D. G., and Alkatseva T. D. 204

PLASMA PHYSICS AND PLASMA METHODS

New research results in the field of plasma physics and plasma technologies in Russia in 2025 (based on the materials of the 53rd International Zvenigorod Conference on Plasma Physics and Controlled Fusion, March 16–20, 2026) (a review) Grishina I. A. and Ivanov V. A. 209
A comprehensive study of electrodeless microwave KrCl and XeBr excilamps for bactericidal disinfection Budak V. P. and Zheleznov I. I. 233
Criteria of elements separation efficiency in the process of a multicomponent mixture plasma separation Gavrikov A. V., Oiler A. P., Smirnov V. P., and Usmanov R. A. 248

PHYSICAL SCIENCE OF MATERIALS

The effect of oxygen and iodine on the optical characteristics of polycrystalline photosensitive elements based on lead sulfide Makaruk K. S., Miroshnikova I. N., Miroshnikov B. N., Deomidov A. D., Volkova L. S., Edelbekova P. A., and Maskaeva L. N. 266

INFORMATION

Rules for authors 278

Другие статьи выпуска

Критерий эффективности разделения элементов в процессе плазменной сепарации многокомпонентной смеси (2026)

Авторы: Гавриков А. В., Ойлер А. П., Смирнов В. П., Усманов Р. А.

Анализируются параметры, характеризующие эффективность разделения элементов в процессе плазменной сепарации многокомпонентной смеси и, в частности, плазменного разделения компонентов отработанного ядерного топлива (ОЯТ). Предложен алгоритм, который позволяет определить области отбора для каждого целевого компонента многокомпонентной смеси, исходя из заданных требований на его целевую мольную долю. Определено качество сепарации смеси, достигнутое в разных экспериментах. Данный подход применим как для случая неодносвязных областей целевых отборов, так и для смесей с заметно отличающимися массами компонентов. Полученные результаты являются важным шагом на пути практической реализации метода плазменной сепарации для переработки ОЯТ.

Сохранить в закладках

Комплексное исследование безэлектродных СВЧ-эксиламп KrCl и XeBr для бактерицидного обеззараживания (2026)

Авторы: Будак В. П., Железнов И. И.

Разработана оригинальная компактная конструкция на основе коаксиального четвертьволнового резонатора, обеспечивающая эффективность передачи СВЧ-мощности в плазму на уровне 92,5 % и высокую пространственную однородность разряда. Предложена и верифицирована самосогласованная многомасштабная ма-тематическая модель, адекватно описывающая сопряжённые электродинамические, плазменно-кинетические и тепловые процессы с погрешностью менее 3 %. Установлено, что лампа на смеси Xe/Br2 демонстрирует оптимальный комплекс характеристик: интегральный КПД преобразования СВЧ-энергии в бактерицидное УФ-излучение достигает 56,2 %, уровень фотореактивации микроорганизмов не превышает 8 %, а деградация выходной мощности после 5000 часов непрерывной работы составляет 12,3 %. Показано, что преимущества XeBr-лампы обусловлены оптимальными условиями для образования эксиплексных молекул через метастабильные состояния Xe* и выгодным спектральным соответствием излучению 283 нм пику бактерицидной эффективности ( 265 нм). Ресурсные испытания подтвердили принципиальное превосходство безэлектродной конструкции по долговечности перед традиционными ртутными лампами низкого давления (РЛНД) аналогичной мощности. Разработанный научно-методический аппарат позволяет перейти к целенаправленному проектированию нового поколения экологически безопасных УФ-источников для систем дезинфекции.

Сохранить в закладках

Новые результаты исследований в области физики плазмы и плазменных технологий в России в 2025 году (2026)

Авторы: Гришина И. А., Иванов В. А.

Представлен обзор новых наиболее интересных результатов, представленных на LIII Международной Звенигородской конференции по физике плазмы и управляемому термоядерному синтезу, состоявшейся с 16 по 20 марта 2026 года в г. Звенигород Московской области. Проанализированы достижения по основным направлениям развития исследований в области физики плазмы в России, а также проведено их сравнение с зарубежными работами.

Сохранить в закладках

Напыление цезий-йод фотокатода заданной толщины на микроканальную пластину (2026)

Авторы: Комаров В. П., Федотова Г. В., Самканашвили Д. Г., Алкацева Т. Д.

Целью данной работы являлось обеспечение возможности нанесения покрытия цезий-йод заданной толщины на микроканальную пластину (МКП) методом вакуумно-термического распыления, а также исследование влияния толщины этого покрытия на параметры микроструктуры МКП. Расчётные значения толщин сопоставлялись с данными, полученными методом сканирующей зондовой микроскопии. Параметры микроструктуры МКП измерялись с помощью оптического микроскопа. Обнаружено удовлетворительное согласование расчётной величины толщины с результатами прямых измерений на сканирующем зондовом микроскопе, что позволяет наносить покрытия разной толщины, опираясь на приводимый расчёт.

Сохранить в закладках

Моделирование скорости поверхностной рекомбинации в структурах CdHgTe (2026)

Авторы: Яковлева Н. И., Трофимов А. А.

Проведено моделирование скорости поверхностной рекомбинации n-on-p фоточувствительного элемента на основе HgCdTe при различных значениях концентрации легирующей примеси и плотности поверхностных состояний Nt. Использована зависимость квантовой эффективности в приближении больших времен жизни n0 и больших диффузионных длин Ln неосновных носителей заряда. Представлен анализ характеристик фоточувствительного элемента (ФЧЭ) на основе n-on-p фотодиода длинноволнового ИК диапазона спектра – таких как, темновой ток, токовая чувствительность и обнаружительная способность в зависимости от длины волны, напряжения смещения и скорости поверхностной рекомбинации.

Сохранить в закладках

Преобразование излучения в фототок в однородных полупроводниках без приложения электрического напряжения (2026)

Авторы: Холоднов В. А.

В приближении квазинейтральности выполнен теоретический анализ того, как скорость межзонной фотогенерации носителей слабым оптическим излучением преобразуется в электрический ток в гомогенном полупроводнике с примесной рекомбинацией при отсутствии электрического напряжения. Проанализированы различные типы контактов. Показано, что и при отсутствии внешнего электрического поля возможно возникновение фототока, причем существенной величины

Сохранить в закладках

Статистика статьи

Статистика просмотров за 2026 год.

Издательство

Издательство: АО "НПО "ОРИОН"
Регион: Россия, Москва
Почтовый адрес: 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
Юр. адрес: 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
ФИО: Старцев Вадим Валерьевич (ГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР)
E-mail адрес: orion@orion-ir.ru
Контактный телефон: +7 (499) 3749400
Сайт: http://www.orion-ir.ru

Все права на тексты и товарные знаки принадлежат их законным владельцам. Подробнее...

Сайт https://sci.ru (далее – сайт) работает по принципу агрегатора – собирает и структурирует информацию из публичных источников в сети Интернет, то есть передает полнотекстовую информацию о товарных знаках в том виде, в котором она содержится в открытом доступе.

Сайт и администрация сайта не используют отображаемые на сайте товарные знаки в коммерческих и рекламных целях, не декларируют своего участия в процессе их государственной регистрации, не заявляют о своих исключительных правах на товарные знаки, а также не гарантируют точность, полноту и достоверность информации.

Все права на товарные знаки принадлежат их законным владельцам!

Сайт носит исключительно информационный характер, и предоставляемые им сведения являются открытыми публичными данными.

Администрация сайта не несет ответственность за какие бы то ни было убытки, возникающие в результате доступа и использования сайта.

Спасибо, понятно.